有机薄膜晶体管和氧化锌薄膜晶体管的制备及研究的中期报告.docx

有机薄膜晶体管和氧化锌薄膜晶体管的制备及研究的中期报告
本文将介绍有机薄膜晶体管和氧化锌薄膜晶体管的制备及研究的中期报告。
一、有机薄膜晶体管的制备及研究情况
有机薄膜晶体管是一种利用有机薄膜作为半导体材料制成的晶体管。该晶体管具有低成本、可制备大面积、柔性等优点，因此备受关注。目前，我们的研究重点是提高其性能并探索其应用。
1.制备方法
有机薄膜晶体管的制备一般采用溶液法或蒸发法。其中溶液法是将有机分子溶解在化学溶剂中，并直接沉积在基底上制成薄膜。蒸发法则是将有机分子加热蒸发，沉积在基底上形成薄膜。我们目前主要采用蒸发法制备有机薄膜晶体管。
2.研究进展
我们通过改变半导体材料、基底、电极和制备条件等方面的参数，不断优化有机薄膜晶体管的性能。经过一系列研究，我们成功合成了一种优良的PTCDI-C8有机分子，并以此制备出了性能优异的有机薄膜晶体管。该晶体管具有较高的电子迁移率（可达到4.5cm2V-1s-1）、较低的门电压和较低的漏电流密度。此外，我们还研究了该晶体管的电性质、光学性质和稳定性，为后续应用提供了基础。
二、氧化锌薄膜晶体管的制备及研究情况
氧化锌薄膜晶体管是利用氧化锌作为半导体材料制成的晶体管。该晶体管具有宽带隙、高电子迁移率等特性，被广泛应用于可穿戴设备、平板显示器等领域。
1.制备方法
氧化锌薄膜晶体管的制备主要采用蒸发法或溶液法。其中蒸发法是将氧化锌加热蒸发，沉积在基底上制成薄膜。溶液法则是将氧化锌前驱体溶解在化学溶剂中，沉积在基底上形成薄膜。我们目前主要采用蒸发法制备氧化锌薄膜晶体管。
2.研究进展
我们通过改变制备氧化锌薄膜晶体管所使用的氧化锌前驱体和基底等参数，不断优化晶体管的性能。经过一系列研究，我们成功制备了具有高电子迁移率（可达到64cm2V-1s-1）和较低漏电流密度的氧化锌薄膜晶体管。此外，我们还研究了薄膜晶体管的电性质、光学性质和稳定性，为其应用提供了基础。
以上是有机薄膜晶体管和氧化锌薄膜晶体管制备及研究的中期报告。