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65纳米工艺下低功耗CAM的研究与设计的中期报告
本报告主要介绍了65纳米工艺下低功耗CAM的研究与设计的中期情况。
1.研究背景
随着移动设备和物联网的兴起，对低功耗和高性能的需求越来越强烈。相应的，低功耗的存储器也成为了关注的研究领域之一。而CAM(Content-AddressableMemory)作为一种高速查找的存储器，其功耗和性能也成为了研究的重点之一。
2.研究目标
本研究的主要目标为设计一个低功耗的64×64CAM，达到以下指标：
①能够在65纳米工艺下实现；
②延迟小于500纳秒；
③功耗小于500毫瓦。
3.研究方法
本研究采用了以下方法：
①设计了CAM的电路结构，采用了行列并行搜索的结构，同时对其中的逻辑门和存储单元进行了优化；
②采用了多电压技术和CLKgating技术，对CAM的功耗进行了优化；
③通过HSpice仿真和DC仿真，对CAM进行了性能和功耗的评估。
4.研究进展
截至目前，已完成了CAM的电路结构设计和逻辑门和存储单元的优化，初步完成了功耗优化的设计。下一步工作将是完成整体电路的布局、布线和仿真，并对其进行细节的调整和优化。
5.结论
本报告介绍了65纳米工艺下低功耗CAM的研究与设计的中期情况，初步完成了电路结构设计、逻辑门和存储单元优化和功耗优化的设计。下一步将进行整体电路布局、布线和仿真，并对其进行细节的调整和优化。