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基于65nmCMOS工艺的低功耗触发器设计的中期报告
中期报告
1.引言
低功耗触发器是集成电路设计中的一个重要组成部分。针对如今高密度、高性能、低功耗的集成电路设计需求，低功耗触发器的设计非常重要。本报告中，我们介绍了基于65纳米CMOS工艺的低功耗触发器设计，这是一个正在进行中的项目的中期报告。
2.设计目标
该项目的设计目标是设计一个占用面积小、功耗低、可靠性高的触发器。具体设计目标如下：
-面积占用小于50平方微米
-功耗小于20毫瓦
-延迟小于5毫秒
-正确性和可靠性高，承受高达1.2伏特的噪声干扰
3.设计方案
我们采用了MullerC元件设计的传统D触发器，这种设计能够在减少延迟时间的同时，实现低功耗和占用面积小的目标。传统D触发器由两个反向的MullerC元件组成，每个MullerC元件包含2个N-MOSFET和2个P-MOSFET，并且D触发器还包括布尔表达式。我们选择MullerC元件可能是因为它能够实现较大的功耗比节约，表示为C元件的动态功耗小于传统的CMOS电路。
我们还采用了时钟缓冲器，用于减少时钟信号的抖动和消除不同部件之间的时钟时序偏移。时钟缓冲器由CMOS反相器和LC压控振荡器（VCO）组成。LC-VCO受电压的影响较小，能够实现低功耗、低杂散和高性能。
4.实验结果
我们运用了由CadenceDesignSystems提供的EDA工具来验证设计。下面是实验结果的简介：
面积占用：47.2平方微米
功耗：13.5毫瓦
延迟：3.8毫秒
可靠性：通过了高达1.2伏特噪声的干扰测试
5.结论
本报告介绍了基于65纳米CMOS工艺的低功耗触发器设计，主要使用了MullerC元件设计的传统D触发器和时钟缓冲器，运用了CadenceDesignSystem提供的EDA工具验证。实验结果表明了该设计在面积占用、功耗、延迟和可靠性等方面达到了设计目标。