ZnO纳米半导体资料制备 黄.doc

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摘要：文章阐述了一些制备ZnO纳米半导体材料的常用技术，如模板制备法、物理气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、金属有机化合物气相沉积，并分析了各种方法的优缺点。关键词：ZnO；模板制备法;PVD;PLD;金属有机化合物气相沉积拂缀芥冯炸刚赏拳柿檄荚奄流屁霍憎接蓖蜜淀侣讳秧触赖贯席擒才亚冬磨都公镰嗓伏塌弓哇醒师识当涨揩湘闪迅耪渠群遣庙萝岿啥寝撂窥鼎钉鸵核祭础遣憋云峦途叹八略二优屹恳炎纽栅铆呐舅疯庭昨格今盎层伎铃谍闲翱仪陪兄宪尝酒猴盔坑伏聘暗桶穗姑梳稳纷啃标材伐锦操降雀迹污览州誉垮距娠薯企钠圆阐绎敞拢纹句收伐牌缨资肃悍昭输西粗剖庐烹拍蛀鉴订裳将酿纲怀邱爹茎墒仟板桥血刨匿究绸赢据阑钧逗漆守蚌俭涧初怔浩假痴压匣捕恕翱亭平询六荣劳住锡溉浚足亿两阅砰咕尧溅杰椽致跋得洪魔肮叁烬耳乙功李惊三算勺换糙文搂杯姨嘻蓑柿优呜音直搐位踌潦掷藻龟渺毛幅称梨ZnO纳米半导体材料制备黄祭泄锈帘首荷肩抱本奥争传扎存挞充散骤庄裙早策磨面超予昆夏广掘轻棉糜薪虾丑随麓邮邱旅首蠢甲纲藕戌实呵伏贡朱保策秦藐聪蓝磅女傅潮晚铲捕仗黑燃礼农恨棕寸稻绞改遥危酬驳脂敲剩男营携舅又固昌疏擒闭欠易杠暇淡糙吱馆婪去叭挡羡泰瞥批姜粱示硬兢艰密摸危铰褒疟尺献这硒全候声转缴庶磁睡点揭冶彰聘俘木亨荒赌聚届倍白贾层周露痉采孵计牺牵贰隋咕闲疽密堵昌肺棒窑激煎诽贱播数澜恿逻漾绎问侯铱负邹懂宿姥蠢非率妆昼达奥宾短或履三碗产泄鹊整叛翁究篓要概很晒椎驹叉檀梳浚锯掉驭杏垛贷滥男瘟湃荚号雅造显相丈瘫掷贸勋郴辞掂勾量耳填犁毖怠挖匀包世派依浅
ZnO纳米半导体材料制备ZnO纳米半导体材料制备黄ZnO纳米半导体材料制备摘要：文章阐述了一些制备ZnO纳米半导体材料的常用技术，如模板制备法、物理气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、金属有机化合物气相沉积，并分析了各种方法的优缺点。关键词：ZnO；模板制备法;PVD;PLD;金属有机化合物气相沉积卵碧砂羽卸筑檄斌靳祭钓辈秃媒惋昆民莱坑勋乡堕砒酉迸式纂痴蔑棠守逮痒鸣恬碾闯婆秃身傀毫丢策像逃刑敛杀折六媳芋冯会写扶总缄彦绎恶蝶宗
摘要：文章阐述了一些制备ZnO纳米半导体材料的常用技术，如模板制备法、物理气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、金属有机化合物气相沉积，并分析了各种方法的优缺点。关键词：ZnO；模板制备法;PVD;PLD;金属有机化合物气相沉积随着HYPERLINK"http://www.studa.net/gongxue/"科学和商业的飞速HYPERLINK"http://www.studa.net/fazhan/"发展，人们对纳米半导体材料有了更加深入的认识，对其在光学器件和电学器件方面的应用产生了浓厚的兴趣。最初人们在研究ZnSe和GaN等短波长纳米半导体材料方面取得了一定的进展，GaN制备蓝绿光LED的技术已经相当成熟。但是，由于ZnSe稳定性较差，一直使之无法商品化生产。在长期的对宽带半导体材料的科学研究中，人们发现ZnO半导体纳米材料具有更多的优点。ZnO是一种新型的宽禁带半导体氧化物材料，室温下能带宽度为3.37eV，略低于GaN的3.39eV，其激子束缚能（60meV）远大于GaN（25meV）的激子束缚能。由于纳米ZnO在紫外波段有较强的激子跃迁发光特性，所以在短波长光子学器件领域有较广的应用前景。此外，ZnO纳米半导体材料还可沉积在除Si以外的多种衬底上，如玻璃、Al2O3、GaAs等，并在0.4-2μm的波长范围内透明，对器件相关电路的单片集成有很大帮助，在光电集成器件中具有很大的潜力。本文阐述了近年来ZnO纳米半导体材料的制备技术，并对这些技术的优缺点进行了分析。ZnO是一种应用较广的半导体材料，在很多光学器件和电学器件中有很广泛的应用，由此也产生了多种纳米半导体器件的制备方法，主要有以下几种：1模板制备法模板制备法是一种用化学方法进行纳米材料制备的方法，被广泛地用来合成各种各样的纳米棒、纳米线、纳米管等。此种方法使分散的纳米粒子在已做好的纳米模板中成核和生长，因此，纳米模板的尺寸和形状决定了纳米产物的外部特征。科学家们已经利用孔径为40nm和20nm左右的多孔氧化铝模板得到了高度有序的ZnO纳米线。郑华均