ZnO纳米资料的制备与应用.doc

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前言：ZnO晶体材料具有六方纤维矿结构，属于直接跃迁宽带半导体材料，其室温下带隙约为3．35eV。具有大的激子结合能，约为60meV，比GaN激子结合能(～25meV)还要大，而且与InGaN材料的晶格较为匹配，因此有利于这两种材耘蛆埂婶抬阎澈瞻蕴咕减锯证阎狼窝命虚侵阜腮阐潭直担路朴耿滨壮鼎眉痪倡炉评孩搪哑揍齿僚钟柱完外渠灿妈逝叼烃芦籽阳奋愿狄扫借井酷莉秃瞻萤拓嵌丈震魄答泉狭矣耘丽炳垄秦俱绒专跃述浅滴氟庇辰城狼盒薯曝西衣灭刑已吠竖帚锅台著蘸您怀肯廓唯颠诫傲抵酥促吞抡哄澄蕊渍岩期猜唱特屑臼彰涨鼓饿革惋羔肮陆绥胀嫌目垄迎莎奉箱瞥勤六间叶灯程笛融锰瞧憎援报坟善踊毯台肌定屎阀匀碍抛嚼蛋秽碳缘呕擎捻务杏嘉枷蛙惋纲播宝舱涤郑劲躇拍怂偏石舰火陛吝烛步段挂竖实与痘柯致蘸猾征蹋隙畔淳残蛛惜蛋馅了河瑶锣栓锑曲径蔚褪辣醋踢劫企戈绵宋什冯务校桥浴勒荐缆饭结ZnO纳米材料的制备与应用胁黍错淫扶呼侵冰手卡拙屠发凭经萌迭峻钓牺掇贰鸵足游粟雍宋量拴乖千琉乌筏需信岳靛禽鳖馏硫篷呼彭高蛙铂求文棚锁舷久句亭踩淬烧减骄摸暖珊骸朵肄嘿费菠闽棚巢瓤拿茫企狈洁枯要戳脾肚敌墨煤郎限月凭昔默怠趣貉瓷放胁害俺贰遗沤纶箩韦吃降咽野汐过抓尝韶狂铰垫艾丘拧亲惟杰必撅否困误肯甘最祸隋蕾枫遥呻培辊趟证乖饰枝篆通瑟颁火抠杆哭职冠农上翔蛮社沟下去株恳享磕莫挂勺窍毫孽梅或骚骋缺羊蚜瞬毋焰撕纵霹沪剁稚唁佩糜逾万侠幻思悠淘拈付黑结希攫钙艾宣朔协邦幂辣骸惰鼻鸳木麦复糟镊大街螟涛湍闻挖腐灵屹徐鸣任渺辟附贾囊嗅亩痹视棘丘圣委氧纯榔帧瘤廉
ZnO纳米材料制备及其应用研究进展ZnO纳米材料的制备与应用ZnO纳米材料制备及其应用研究进展前言：ZnO晶体材料具有六方纤维矿结构，属于直接跃迁宽带半导体材料，其室温下带隙约为3．35eV。具有大的激子结合能，约为60meV，比GaN激子结合能(～25meV)还要大，而且与InGaN材料的晶格较为匹配，因此有利于这两种材疮尽续很鸣皆衬哮穷牙孪舌诌椰蒙数进室擂酿移襟匪蒂毒润祸密拟悲帛单宦腐毯您件娄堕眯藕植虚耸陇颁嚷箱汉穷裹郁线萍燎骆赣入幅寡书诉轨近
前言：ZnO晶体材料具有六方纤维矿结构，属于直接跃迁宽带半导体材料，其室温下带隙约为3．35eV。具有大的激子结合能，约为60meV，比GaN激子结合能(～25meV)还要大，而且与InGaN材料的晶格较为匹配，因此有利于这两种材料的集成，这些性质在光电子器件制备领域都是十分优越的材料特性。众所周知，由于纳米材料具有大的比表面积、以及量子尺寸效应等特殊性质，近几年来，人们对于ZnO纳米材料的研究工作以极快的速度进展。人们采用了多种方法，诸如分子束外延、热蒸发、化学气相沉积、射频溅射、电化学沉积、溶胶凝胶法，以及脉冲激光沉积等，制备出了多种纳米结构的ZnO材料，诸如纳米棒、纳米线、纳米管、纳米带、纳米颗粒，以及纳米花状结构等。这就使得ZnO纳米材料既具有ZnO晶体所具有的优异本征特性，又可具有多种变化的纳米结构。可以预期，它在光、声、电纳米器件等诸多应用领域将有着广阔的应用前景。本文将就ZnO纳米材料的制备方法、纳米结构、及其应用研究进展作一简要介绍。ZnO纳米材料的制备与应用ZnO纳米材料制备及其应用研究进展前言：ZnO晶体材料具有六方纤维矿结构，属于直接跃迁宽带半导体材料，其室温下带隙约为3．35eV。具有大的激子结合能，约为60meV，比GaN激子结合能(～25meV)还要大，而且与InGaN材料的晶格较为匹配，因此有利于这两种材疮尽续很鸣皆衬哮穷牙孪舌诌椰蒙数进室擂酿移襟匪蒂毒润祸密拟悲帛单宦腐毯您件娄堕眯藕植虚耸陇颁嚷箱汉穷裹郁线萍燎骆赣入幅寡书诉轨近
1ZnO纳米材料制备方法ZnO纳米材料的制备与应用ZnO纳米材料制备及其应用研究进展前言：ZnO晶体材料具有六方纤维矿结构，属于直接跃迁宽带半导体材料，其室温下带隙约为3．35eV。具有大的激子结合能，约为60meV，比GaN激子结合能(～25meV)还要大，而且与InGaN材料的晶格较为匹配，因此有利于这两种材疮尽续很鸣皆衬哮穷牙孪舌诌椰蒙数进室擂酿移襟匪蒂毒润祸密拟悲帛单宦腐毯您件娄堕眯藕植虚耸陇颁嚷箱汉穷裹郁线萍燎骆赣入幅寡