SbTe,InSbTe,GeSbTe相变存储材料的光电性质比较的中期报告.docx

SbTe,InSbTe,GeSbTe相变存储材料的光电性质比较的中期报告
SbTe、InSbTe和GeSbTe是一类常见的相变存储材料，它们具有很好的可重写性、高速度、低能耗等优点，已经被广泛应用于非易失性存储器中。本次中期报告主要比较了这三种材料的光电性质，具体内容如下：
1.光学吸收
实验结果表明，SbTe、InSbTe和GeSbTe在近红外波段内都有很强的光学吸收。其中，InSbTe在800~1000nm波段内的吸收率最高，达到了80%以上。而SbTe和GeSbTe在此波段内的吸收率则分别约为60%和70%左右。值得一提的是，这三种材料的光学吸收均存在明显的光热效应，会导致相变过程的温度上升。
2.光致变色
光致变色是指材料在光照条件下，其光学特性发生明显改变的现象。实验结果表明，SbTe、InSbTe和GeSbTe均具有光致变色现象。其中，InSbTe在550nm波长附近呈现出较明显的吸收增强效应；SbTe和GeSbTe在660nm波长附近则呈现出吸收减弱的效应。这种光致变色现象可以为相变存储器中的写入和擦除操作提供基础。
3.稳定性
相变存储材料的稳定性是非常重要的，它直接影响相变存储器的可靠性和寿命。实验结果表明，SbTe、InSbTe和GeSbTe均具有良好的稳定性，可以在宽范围内保持想要的相态。另外，这三种材料的多次相变实验结果表明，它们的光电性质在重复使用过程中具有较好的一致性和稳定性。
本次中期报告主要比较了SbTe、InSbTe和GeSbTe三种相变存储材料的光电性质。相比之下，InSbTe在吸收率和光致变色方面表现较为优异，但三种材料均具有良好的稳定性。需要进一步深入研究这三种材料的光电特性，寻找更优异的相变存储材料。