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SbTe基相变存储材料辐射效应及损伤机理研究的综述报告
SbTe是一种钙钛矿结构的材料，具有良好的电学、热学、光学性质，因此被广泛应用于相变存储器中。但是，SbTe在实际应用中会受到辐射性损伤的影响，这会引起其电学性能的退化，降低存储器的稳定性和可靠性。因此，对于SbTe材料的辐射效应及损伤机理进行研究具有重要的意义。
首先，SbTe材料受到接近紫外线波长的紫外线照射时，会发生光致相变现象，即从“高”态转化为“低”态，在此过程中伴随着膨胀和收缩。众所周知，紫外线辐射会破坏材料的晶格结构，造成损伤。根据实验结果可以证明，紫外线导致了SbTe晶体中的晶界的扩散和晶格结构的改变，并且在过程中释放了额外的热量，导致材料的热稳定性下降。
其次，SbTe材料在受到较高剂量的离子辐照后，在深层闪烁探测器中具有较好的应用前景。但是，如果辐照过程中剂量过高，会导致离子束与SbTe相互作用，产生能量堆积效应，并激发材料的原子，从而损害SbTe的结构和性能。研究发现，高剂量辐照下SbTe材料中的结构发生变化，包括晶格畸变、晶界增多、氧化和纯化等现象，使得SbTe材料中存储的信息发生丢失。
最后，针对SbTe材料的辐射损伤机理，有许多学者进行了深入的研究。其中一种辐射损伤机理是基于Fei等人的研究结果，即离子辐射损伤过程中SbTe晶粒内部会产生原子间隙，并且使得晶粒形成了缺陷区域，导致SbTe晶体的晶界与内部结构发生变化。另一种辐射损伤机理则是基于有关离子束平均能损的物理规律，认为在高能离子辐照下，会产生电子-空穴对，使SbTe材料的禁带宽度减小，从而导致材料的电学性能退化。
总之，SbTe是一种重要的相变存储材料，但其受到辐射的影响，在实际应用中会存在一定的风险。为了保障SbTe材料的长期稳定性和可靠性，需要对其在辐射环境下的反应和损伤机理进行更深入的研究，以开发出更加稳定和可靠的相变存储材料。