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Mn、Fe掺杂Ge基稀磁半导体材料的制备研究的综述报告
Mn、Fe掺杂Ge基稀磁半导体材料已经成为当前热门的研究领域，其主要研究目的在于实现可控磁性半导体的制备、优化磁性半导体的性能及开发其在磁存储、磁电子等领域的应用。本文将综述Mn、Fe掺杂Ge基稀磁半导体材料的制备研究进展。
一、Mn掺杂Ge基稀磁半导体材料的制备研究
1.溶胶-凝胶（SG）法制备Mn掺杂Ge基稀磁半导体材料
2014年，一项研究报道了采用溶胶-凝胶法制备Mn掺杂Ge基稀磁半导体材料的研究结果。研究表明，制备的Mn掺杂Ge基稀磁半导体材料具有优越的磁性能，通过调节掺杂量可以有效地控制其磁性能。此外，研究还揭示了材料的磁耦合机制，为这类材料的应用奠定了基础。
2.溅射法制备Mn掺杂Ge基稀磁半导体材料
2016年，一项研究报道了采用溅射法制备Mn掺杂Ge基稀磁半导体材料的研究结果。研究发现，材料的磁性能可以通过调节溅射条件和掺杂量来实现，可以实现单相Mn掺杂Ge基稀磁半导体材料的制备。此外，研究还揭示了磁性能与材料微结构之间的关系，为优化材料的磁性能提供了重要的参考。
二、Fe掺杂Ge基稀磁半导体材料的制备研究
1.溶胶-凝胶（SG）法制备Fe掺杂Ge基稀磁半导体材料
2015年，一项研究报道了采用溶胶-凝胶法制备Fe掺杂Ge基稀磁半导体材料的研究结果。研究表明，材料的磁性能可以通过掺杂Fe的浓度调节来实现，并且在特定的温度范围内可以实现单相材料的制备。此外，研究还揭示了磁性能与材料微结构之间的关系，为优化材料的磁性能提供了参考。
2.溅射法制备Fe掺杂Ge基稀磁半导体材料
2017年，一项研究报道了采用溅射法制备Fe掺杂Ge基稀磁半导体材料的研究结果。研究表明，采用氩气稀释的溅射氧化铁靶材料可以制备具有高磁场矫顽力的Fe掺杂Ge基稀磁半导体材料。此外，研究还揭示了制备过程中的气相和表面物理化学反应机制，为优化制备工艺提供了参考。
综上所述，Mn、Fe掺杂Ge基稀磁半导体材料的制备研究已经取得了一定进展。随着技术的进一步发展，相信这类材料的研究前景会越来越广阔。