一种制造晶硅太阳能电池的刻蚀清洗工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105489705A(43)申请公布日2016.04.13(21)申请号201511019411.6(22)申请日2015.12.30(71)申请人无锡赛晶太阳能有限公司地址214251江苏省无锡市宜兴市官林镇工业集中区C区(72)发明人蒋建宝李科伟(74)专利代理机构江苏圣典律师事务所32237代理人贺翔(51)Int.Cl.H01L31/18(2006.01)H01L21/02(2006.01)权利要求书1页说明书2页(54)发明名称一种制造晶硅太阳能电池的刻蚀清洗工艺(57)摘要本发明公开一种制造晶硅太阳能电池的刻蚀清洗工艺，其包括如下步骤：用8-10％的HF酸，通过滚轮带液的方式，将扩散后硅片非扩散面和边缘的磷硅玻璃去除；在可加热的不锈钢槽中，用5-30％的四甲基氢氧化铵，70-80℃下，腐蚀150-300s，利用四甲基氢氧化铵与硅反应但不与二氧化硅反应的特性，用四甲基氢氧化铵对非扩散面和边缘进行腐蚀，去除PN结，达到刻蚀PN结同时抛光的效果；纯水溢流的方式对硅片表面残留的四甲基氢氧化铵进行稀释，时间10-50s，对硅片进行降温；在PVDF材质的槽中，用15％左右的盐酸，常温下，对四甲基氢氧化铵进行中和，时间50s；在PVDF材质的槽中，用10-20％的HF酸，常温下，去除硅片扩散面的磷硅玻璃；在PVDF材质的槽中，用溢流水，洗净残留的HF酸。CN105489705ACN105489705A权利要求书1/1页1.一种制造晶硅太阳能电池的刻蚀清洗工艺，其特征在于：包括如下步骤第一步、用8-10％的HF酸，通过滚轮带液的方式，将扩散后硅片非扩散面和边缘的磷硅玻璃去除；第二步、在可加热的不锈钢槽中，用5-30％的四甲基氢氧化铵，70-80℃下，腐蚀150-300s，利用四甲基氢氧化铵与硅反应但不与二氧化硅反应的特性，用四甲基氢氧化铵对非扩散面和边缘进行腐蚀，去除PN结，达到刻蚀PN结同时抛光的效果；第三步、纯水溢流的方式对硅片表面残留的四甲基氢氧化铵进行稀释，时间10-50s，对硅片进行降温；第四步、在PVDF材质的槽中，用15％左右的盐酸，常温下，对四甲基氢氧化铵进行中和，时间50s；第五步、在PVDF材质的槽中，用10-20％的HF酸，常温下，去除硅片扩散面的磷硅玻璃；第六步、在PVDF材质的槽中，用溢流水，洗净残留的HF酸。2CN105489705A说明书1/2页一种制造晶硅太阳能电池的刻蚀清洗工艺技术领域：[0001]本发明涉及一种制造晶硅太阳能电池的刻蚀清洗工艺，其属于光伏技术领域。背景技术：[0002]四甲基氢氧化铵作为刻蚀抛光剂在晶硅太阳能电池制造中应用的越来越广泛，现有的四甲基氢氧化铵抛光刻蚀的主要工艺步骤为：[0003]第一步，用8-10％的HF酸溶液将扩散后硅片非扩散面与边缘的磷硅玻璃去掉；[0004]第二步，利用四甲基氢氧化铵与硅反应但不与二氧化硅反应的特性，用5-30％的四甲基氢氧化铵70-80℃温度下对非扩散面和边缘进行腐蚀，去除PN结，达到刻蚀PN结同时抛光的效果；[0005]第三步，用大量的水洗掉硅片表面残留的四甲基氢氧化铵；[0006]第四步，用20％左右的HF酸去除扩散面的磷硅玻璃；[0007]第五步，用纯水洗净硅片表面残留的HF酸。[0008]现有技术中第二步与第四步是碱与酸的转换，中间需要大量的水来清洗，造成水资源的浪费，同时，如果清洗不干净的话，残留的碱液会被带入HF酸中继续反应，一方面降低了HF酸的浓度，造成扩散面磷硅玻璃去除不干净，另一方面，生成物也会对硅片造成污染。发明内容：[0009]本发明提供一种制造晶硅太阳能电池的刻蚀清洗工艺，其能够将残留的四甲基氢氧化铵清洗干净。[0010]本发明采用如下技术方案：一种制造晶硅太阳能电池的刻蚀清洗工艺，其包括如下步骤：[0011]第一步、用8-10％的HF酸，通过滚轮带液的方式，将扩散后硅片非扩散面和边缘的磷硅玻璃去除；[0012]第二步、在可加热的不锈钢槽中，用5-30％的四甲基氢氧化铵，70-80℃下，腐蚀150-300s，利用四甲基氢氧化铵与硅反应但不与二氧化硅反应的特性，用四甲基氢氧化铵对非扩散面和边缘进行腐蚀，去除PN结，达到刻蚀PN结同时抛光的效果；[0013]第三步、纯水溢流的方式对硅片表面残留的四甲基氢氧化铵进行稀释，时间10-50s，对硅片进行降温；[0014]第四步、在PVDF材质的槽中，用15％左右的盐酸，常温下，对四甲基氢氧化铵进行中和，时间50s；[0015]第五步、在PVDF材质的槽中，用10-20％的HF酸，常温下，去除硅片扩散面的磷硅玻璃；[0016]第六步、在PVDF材质的槽中，用溢流水，洗净残留的HF酸。[0017]本发明具有