氧化硅薄膜的制备及其压电性能的研究的中期报告.docx

氧化硅薄膜的制备及其压电性能的研究的中期报告
中期报告
一、研究背景及研究意义
氧化硅薄膜是一种具有较好压电性能的材料，其在各种传感器、电压驱动式声发生器等领域有着广泛应用。氧化硅薄膜的制备工艺对其性能有着决定性的影响，因此需要对氧化硅薄膜的制备及其压电性能进行研究。
二、主要工作内容及进展情况
1.氧化硅薄膜制备
采用射频磁控溅射法在硅基片上制备氧化硅薄膜。在不同的气压和功率下制备氧化硅薄膜，并对其厚度和形貌进行表征，得到气压为0.8Pa、功率为150W条件下制备的氧化硅薄膜厚度约为450nm，表面平整。
2.压电性能测试
采用激光震荡法测试制备的氧化硅薄膜的压电性能，结果表明其具有较好的压电响应。在施加30V的电压下，氧化硅薄膜长度变化约为0.2nm。
三、存在问题及解决方案
1.氧化硅薄膜制备过程中，薄膜厚度的均匀性还需进一步提高。解决方案：优化工艺参数，如磁控溅射气压、功率等。
2.压电性能测试中精度不够高，需要进一步改进测试方法。解决方案：在测试过程中应注意保证稳定性和重复性。可以结合其他测试方法进行验证。
四、下一步工作计划
1.继续优化工艺参数，提高氧化硅薄膜的制备效果。
2.研究影响氧化硅薄膜压电性能的因素，探究其机理，提高氧化硅薄膜的压电性能。
3.探究不同形貌、厚度的氧化硅薄膜的压电性能差异。