大功率GaN基LED用SiC衬底刻蚀工艺研究的开题报告.docx
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大功率GaN基LED用SiC衬底刻蚀工艺研究的开题报告.docx
大功率GaN基LED用SiC衬底刻蚀工艺研究的开题报告一、选题背景氮化镓(GaN)基LED因其具有高亮度、高效率、长寿命和可靠性等优点,已经成为当前领先的照明装置。但是,GaN基LED的生产成本非常高,因为需要使用高质量的蓝宝石(sapphire)或碳化硅(SiC)衬底,这是非常昂贵的材料。因此,研发更加经济、高效的衬底材料是一项重要的研究课题。二、选题意义通过采用其他替代的衬底材料,可以降低GaN基LED的生产成本。在这些新材料中,碳化硅衬底是被广泛研究和使用的一种。在使用碳化硅衬底时,需要使用刻蚀工艺
GaN器件SiC衬底刻蚀方法.pdf
本发明提供了一种GaN器件SiC衬底刻蚀方法,包括如下步骤:提供一衬底,所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面,在所述衬底的第一表面上形成有半导体器件层;通过激光刻蚀对所述衬底的第二表面进行刻蚀,并在所述衬底的第二表面形成盲孔;通过干法刻蚀对所述盲孔进行刻蚀,使所述盲孔贯通至所述半导体器件层远离所述衬底的表面。本发明通过采用激光刻蚀对SiC等衬底进行刻蚀,刻蚀过程稳定性好,可重复性高,避免了采用Ni等金属掩膜进行干法刻蚀所产生的沉积物;省去了制作光刻版的成本,简化了工艺复杂度和工艺时间;激光刻蚀过程不会
ICP刻蚀在GaAs,GaN及SiC器件制备中的研究的开题报告.docx
ICP刻蚀在GaAs,GaN及SiC器件制备中的研究的开题报告概述ICP刻蚀是一种高性能的物理刻蚀技术,可以用于制备各种半导体器件,如GaAs、GaN和SiC等。这种技术可以提供比传统刻蚀方法更高的刻蚀速度和更高的精度,同时还能够实现较小的表面粗糙度和优良的界面质量。因此,ICP刻蚀在半导体器件制备中具有广泛的应用前景。本文旨在探讨ICP刻蚀在GaAs、GaN及SiC器件制备中的应用,以及该技术的一些研究进展。ICP刻蚀技术ICP刻蚀技术是一种非常适合用于半导体器件制备的物理刻蚀技术,它可以通过将半导体样
GaN基白光LED研究的开题报告.docx
CdTe纳米晶/GaN基白光LED研究的开题报告开题报告题目:CdTe纳米晶/GaN基白光LED研究1.研究背景及意义:白光发光二极管(WhiteLightEmittingDiode,WLED)以其多种优异性能如高亮度、高效率、长寿命、低功耗、无污染等优点而备受关注。其中GaN基黄色或者蓝色LED芯片加入黄色荧光粉或蓝色荧光粉的方法是目前主流的WLED制备方法。但是这种方法的制备工艺较为复杂,荧光粉量的控制难度大,荧光粉效率一直是WLED发展的瓶颈之一。因此,寻找生产工艺简单、效率高、成本低、亮度高的新型
一种退火剥离倒装SiC衬底GaN基LED的制作方法.pdf
本发明提出了一种退火剥离倒装SiC衬底GaN基LED的制作方法,包括以下步骤:(1)在原始SiC衬底表面刻蚀出纵横交错的沟道,露出一个个小方柱,这就是制作的原始SiC图形衬底;(2)在做好的原始SiC图形衬底上按常规方法生长常规结构的外延片,包括衬底、AlN缓冲层、N型GaN层、MQW层和P型GaN层;(3)在生长的外延片上表面P型GaN层上镀一层反光金属,将反光金属层键合在一个新的SiC或者Si衬底上;(4)将键合后的外延片放入到高温退火炉中,通过退火使外延片上的原始衬底脱落。本发明利用SiC衬底与Ga