用于制造金属板制管状绝热元件的方法和装置.pdf
春景****23
亲,该文档总共11页,到这已经超出免费预览范围,如果喜欢就直接下载吧~
相关资料
用于制造金属板制管状绝热元件的方法和装置.pdf
用于由板坯料(9)制造金属板制管状绝热元件(1)的装置,它在与待制造的绝热元件的轴线垂直的进给方向上依次包括:驱动单元(5),该驱动单元用于在进给方向(F)上输送平坦的坯料(9);成形辊(61、62)单元,它包括用于在坯料的边缘上形成凸部的成型滚轮(65、66);以及弯拱单元(7),它位于紧跟该成形辊单元处,用于对包括所述凸部的坯料进行弯拱。首先通过成形辊在坯料的边缘上进行凸部的成形,然后优选地在此之后立即并且在同一操作中进行弯拱,边缘的成形和弯拱在单个道次中实施。
用于制造弯曲的管状连接元件的方法.pdf
本发明涉及一种用于制造弯曲的管状连接元件的方法,其至少具有以下制造步骤:对可预先规定长度的金属直线延伸的管段(10)实施切削加工,所述管段包括用于接收单独的接头部件(18、20)的接头几何结构(12、14),所述接头部件用于衔接引导介质的管路;对以这样的方式切削构建的管段(10)实施弯曲过程,以具有可预先规定弯曲半径,所述弯曲半径优选最高为90度;并且将相应的接头部件(18、20)附接到管段(10)的能配设的端部侧的接头几何结构(12、14)上。
用于制造光子装置的元件的系统和方法.pdf
本公开提供了通过使用连续金属网和在呈连续流的空气和蚀刻剂的存在下进行蚀刻而在半导体基底中制造作为光子装置的元件的高纵横比图案的方法。在一种方法中,涉及形成稳定的金属‑半导体合金的稳定催化剂允许即使在非常低的氧化剂浓度(例如存在于空气中的氧化剂物质)的条件下也在垂直方向上蚀刻基底而无需任何外部偏压或磁场,从而在半导体基底中实现非常高的纵横比结构。半导体基底上的金属层与空气中包含的氧化剂反应,并通过蚀刻剂催化半导体蚀刻。在一种方法中,通过使经水稀释的HF溶液蒸发来供应蚀刻剂。在金属层附近呈连续流的空气允许在金
连接元件,用于制造连接元件的方法和装置.pdf
本发明涉及一种用于从由金属制成的连接元件半成品(102)制造设有端面(106)的、杆状或管状的连接元件(100、100’)的方法,所述连接元件尤其是钻头或凿子的可轴向移动地固定在打眼锤的刀夹中的插入端部,提供连接元件半成品,其特征在于,至少一个在模具(202)的留空部(204)中引导的可径向移动的、用于将至少一个两侧封闭的纵向槽(122、124)成形到连接元件半成品中的成型体(206)具有比纵向槽的计划的长度(L)更小的纵向延伸(LR),并且通过至少一个成型体的径向进给和随后连接元件半成品在模具的模具纵向
压电元件、用于制造压电元件的方法和电子装置.pdf
本公开内容涉及压电元件、用于制造压电元件的方法和电子装置。一种压电元件包括压电材料部分。压电材料部分由包括钙钛矿型金属氧化物和Mn并且具有残留分极的压电陶瓷制成,所述钙钛矿型金属氧化物包括钛酸钡。压电材料部分具有在与压电陶瓷的残留分极方向交叉的方向上延伸的测量表面,并且,在测量表面被抛光到具有200nm或更小的表面粗糙度之后,测量表面在室温下具有1.0或更大的(002)/(200)X射线衍射强度比。压电陶瓷在室温下的c轴晶格常数c与a轴晶格常数a的比c/a满足1.004≤c/a≤1.010。测量表面在室温