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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106896126A(43)申请公布日2017.06.27(21)申请号201510969779.2(22)申请日2015.12.18(71)申请人中芯国际集成电路制造(天津)有限公司地址300385天津市西青区西青经济开发区兴华道19号申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司(72)发明人韩耀梅虞勤琴郭志蓉(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237代理人屈蘅李时云(51)Int.Cl.G01N23/225(2006.01)G01N1/32(2006.01)G01N1/34(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图4页(54)发明名称结轮廓检测样品及制备方法、结轮廓检测方法(57)摘要本发明揭示了一种结轮廓检测样品及制备方法、结轮廓检测方法。本发明提供的结轮廓检测样品的制备方法,包括:提供半导体样品,所述半导体样品中形成有P结和/或N结;提供热磷酸,将所述半导体样品放置于所述热磷酸中持续预定时间;取出所述半导体样品进行清洗,获得结轮廓检测样品。与现有技术相比,本发明成本低廉,制样时间适当,可控性强,能够获得较佳的结轮廓,有着良好的可重复性。CN106896126ACN106896126A权利要求书1/1页1.一种结轮廓检测样品的制备方法,包括:提供半导体样品,所述半导体样品中形成有P结和/或N结;提供热磷酸,将所述半导体样品放置于所述热磷酸中持续预定时间;取出所述半导体样品进行清洗,获得结轮廓检测样品。2.如权利要求1所述的结轮廓检测样品的制备方法,其特征在于,所述热磷酸的浓度大于等于80wt%。3.如权利要求2所述的结轮廓检测样品的制备方法,其特征在于,所述热磷酸的温度为160℃-180℃,所述预定时间为60秒-120秒,在所述热磷酸的温度增加时,所述预定时间减少。4.如权利要求3所述的结轮廓检测样品的制备方法,其特征在于,所述热磷酸的温度为170℃。5.如权利要求4所述的结轮廓检测样品的制备方法,其特征在于,所述半导体样品中同时形成有P结和N结,所述预定时间为85秒-95秒,以同时对P结和N结进行检测。6.如权利要求2所述的结轮廓检测样品的制备方法,其特征在于,所述热磷酸的温度为165℃-175℃,所述预定时间为15秒-30秒,在所述热磷酸的温度增加时,所述预定时间减少。7.如权利要求1-6中任意一项所述的结轮廓检测样品的制备方法,其特征在于,取出所述半导体样品进行清洗,获得检测样品包括:采用去离子水清洗所述半导体样品;利用惰性气体吹干所述半导体样品。8.一种由权利要求1-7中任意一项所述的结轮廓检测样品的制备方法获得的结轮廓检测样品。9.一种结轮廓检测方法,包括:提供一如权利要求8所述的结轮廓检测样品;采用显微镜对所述结轮廓检测样品进行结轮廓检测。10.利用如权利要求9所述的结轮廓检测方法,其特征在于,所述显微镜包括扫描电子显微镜、透射电子显微镜或聚焦离子束显微镜。2CN106896126A说明书1/4页结轮廓检测样品及制备方法、结轮廓检测方法技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域,特别是涉及一种结轮廓检测样品及制备方法、结轮廓检测方法。背景技术[0002]在半导体制造领域,半导体器件的失效检测是用于改善工艺技术的可靠性和稳定性的反馈过程,其发现和纠正缺陷的根源以克服由缺陷产生的问题。适当的失效检测对于改善半导体器件的质量是关键的,但不正确的失效检测可能加长开发和提升半导体器件产品所需的周期。一般地,失效检测包括外部检查、非破坏性检测、电性能检测、破坏性检测等。[0003]随着半导体器件集成度的提高和缩微技术的发展,形成半导体器件的元件结构变成三维的复杂结构,并且器件的特征尺寸在减小,以便在限定的区域内获得足够大的容量。半导体器件复杂度的增加,使得仅仅通过外部检查或电性能检测等方法并不能准确检测出失效的根源,这就要求采用高级剥层处理技术,例如扫描电子显微镜(SEM),打开半导体封装件及去除待测芯片上的覆层(例如硅层、氧化层等)以暴露出半导体器件的叠层结构的失效情况。[0004]采用扫描电子显微镜(SEM)了解半导体器件的微观结构时,通常需对要观察的样品进行腐蚀处理,以获得适合观察的样品表面。[0005]现在,广泛使用的样品腐蚀处理溶液是包含有氢氟酸(HF)和硝酸(HNO3)的混合水(或酒精)溶液。但是,由于半导体尺寸趋小化发展,特别是对于65nm工艺及其以下的工艺,结深较浅,在使用上述腐蚀溶液时,由于腐蚀速度快,反应时间短,通常只有几秒钟,例如需要8秒,超出该时间就会被过腐蚀,因此导致控制困难,往往会出现过腐蚀问题。如图1所示,为经过10秒处理的情况,可见经过腐蚀处理溶液腐蚀后,半导体器件中的栅极区1(栅极