肖特基势垒二极管及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107004725A(43)申请公布日2017.08.01(21)申请号201580068085.X(74)专利代理机构北京金信知识产权代理有限公司1(22)申请日2015.10.191225代理人苏萌萌范文萍(30)优先权数据2014-2552872014.12.17JP(51)Int.Cl.H01L29/872(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日H01L21/329(2006.01)2017.06.14H01L29/06(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据H01L29/47(2006.01)PCT/JP2015/0794792015.10.19(87)PCT国际申请的公布数据WO2016/098438JA2016.06.23(71)申请人丰田自动车株式会社地址日本爱知县申请人株式会社电装(72)发明人永冈达司三宅裕树宫原真一朗青井佐智子权利要求书2页说明书7页附图7页(54)发明名称肖特基势垒二极管及其制造方法(57)摘要SBD具备与阳极电极接触的p型接触区和与阳极电极肖特基接触的n型漂移区。p型接触区具备：第一p型区域，其具有角部；第二p型区域，其与角部连接；边缘填充部，其被配置在第一p型区域与第二p型区域的连接部处。在将第一p型区域的轮廓的向连接部侧延长的延长线设为第一延长线，并将第二p型区域的轮廓的向所述连接部侧延长的延长线设为第二延长线时，第一延长线与第二延长线以锐角交叉。边缘填充部填充被形成在第一延长线与第二延长线之间的锐角边缘。CN107004725ACN107004725A权利要求书1/2页1.一种肖特基势垒二极管，其具备半导体基板和与所述半导体基板的表面接触的阳极电极，其中，所述半导体基板具备：p型接触区，其与所述阳极电极接触；n型漂移区，其与所述阳极电极肖特基接触，所述p型接触区具备：第一p型区域，其在所述阳极电极与所述半导体基板的接触面处形成闭环，且具有以曲线状延伸的角部；第二p型区域，其在所述接触面处被配置于所述第一p型区域的内周部，且与所述角部连接；边缘填充部，其在所述第一p型区域与所述第二p型区域的连接部处与所述第一p型区域和所述第二p型区域相接，在将所述第一p型区域的在未与所述边缘填充部相接的范围内延伸的轮廓的向所述连接部侧延长的延长线设为第一延长线，并将所述第二p型区域的在未与所述边缘填充部相接的范围内延伸的轮廓的向所述连接部侧延长的延长线设为第二延长线时，所述第一延长线与所述第二延长线以锐角交叉，所述边缘填充部填充被形成在所述第一延长线与所述第二延长线之间的锐角边缘。2.如权利要求1所述的肖特基势垒二极管，其中，所述第二p型区域在所述接触面处以带状延伸，所述锐角为θ，所述接触面内的所述角部的宽度为W1，所述接触面内的所述第二p型区域的宽度为W2，所述接触面内的所述边缘填充部的位置处的所述p型接触区的宽度与所述第一p型区域和所述第二p型区域的复合宽度Wc相比较宽，Wc＝(W1+W2)/cos(θ/2)。3.如权利要求1或2所述的肖特基势垒二极管，其中，所述第一p型区域与所述边缘填充部所形成的角在90度以上，所述第二p型区域与所述边缘填充部所形成的角在90度以上。4.权利要求1～3中任一项所述的肖特基势垒二极管，其中，多条所述第二p型区域平行地延伸，所述边缘填充部的从所述第一p型区域离开所述边缘填充部的位置到所述第二p型区域离开所述边缘填充部的位置之间的轮廓与所述第二p型区域正交，所述边缘填充部的所述轮廓的长度在相邻的所述第二p型区域之间的间隔的一半以下。5.一种肖特基势垒二极管的制造方法，其为制造肖特基势垒二极管的方法，其中，在n型的半导体基板的表面上形成掩膜，并且在所述掩膜上形成有具备以下特征的开口，即：(a)形成有第一开口部、第二开口部和第三开口部，所述第一开口部形成闭环且具有以曲线状延伸的角部，所述第二开口部被配置于所述第一开口部的内周部且与所述角部连接，所述第三开口部被形成在所述第一开口部与所述第二开口部的连接部处；(b)在将所述第一开口部的在未与所述第三开口部相接的范围内延伸的轮廓的向所述连接部侧延长的延长线设为第一延长线，并将所述第二开口部的在未与所述第三开口部相接的范围内延伸的轮廓的向所述连接部侧延长的延长线设为第二延长线时，所述第一延长2CN107004725A权利要求书2/2页线与所述第二延长线以锐角交叉；(c)所述第三开口部形成在包括被形成于所述第一延长线与所述第二延长线之间的锐角边缘在内的范围内，通过隔着所述掩膜而向所述半导体基板注入p型杂质，从而在所述半导体基板中形成p型接触区，从所述表面去除所述掩膜，在所述表面上形成阳极电极，所述阳极电极与所述p型接触区接触，