Graphene制备、表征以及Raman光谱对退火效应的研究的中期报告.docx

Graphene制备、表征以及Raman光谱对退火效应的研究的中期报告
本研究以化学气相沉积法（CVD法）制备了大面积单层石墨烯样品，并使用多种技术对其进行了表征和研究了其在不同退火温度下的变化。
首先，我们通过扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）观察到制备的样品具有大面积且均匀的单层石墨烯结构。同时，我们使用拉曼光谱技术来分析样品的结构特征，通过G带和2D带的相对强度比值计算样品厚度。我们发现样品的厚度约为0.7nm，表明其为单层石墨烯。
接着，我们对样品进行了退火处理。我们使用高温炉将样品在不同温度下进行了退火处理，通过SEM和TEM观察到样品表面出现了不同程度的结构变化，包括结构的整体收缩、晶体粒径的增大和晶体缺陷的减少。同时，我们发现样品的G带和2D带强度的变化也随着退火温度的升高而发生了明显的变化。
最后，我们使用拉曼光谱技术进一步研究了样品的结构特征。我们发现样品的D带峰强度在退火过程中逐渐降低，同时G带和2D带强度的比值也发生了变化，表明样品的结构质量在退火过程中得到了提高。
综上所述，我们使用CVD法成功制备了大面积单层石墨烯样品，并通过多种技术对其进行了表征和研究了其退火过程中的结构变化。这些结果对石墨烯的制备、应用以及相关研究都具有重要意义。