耦合量子点、超晶格光电特性及调控研究的任务书.docx
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耦合量子点、超晶格光电特性及调控研究的任务书.docx
耦合量子点、超晶格光电特性及调控研究的任务书一、研究背景近年来,随着纳米技术的不断发展,人类能够制造出尺寸越来越小、性能越来越优异的纳米材料和器件。这些纳米材料具有极强的表面积效应、量子限制效应和量子隧穿效应等,与传统的材料相比,其光电特性有着明显的差异。其中,耦合量子点和超晶格是一类表现出非常有趣的光电学特性的纳米结构体系。通过探究它们的特性,不仅可以为理解量子现象、器件设计提供基础,而且也有望在光电器件、太阳能电池、发光二极管、激光器、传感器等领域有着广泛的应用前景。二、研究任务1、研究耦合量子点的光
InAsGaSb超晶格微结构与光电特性研究.doc
InAs/GaSb超晶格微结构与光电特性研究InAs/GaSbⅡ类超晶格被认为是颇具应用价值的第三代红外探测材料。与HgCdTe体材料相比,InAs/GaSbⅡ类超晶格具有带隙灵活可调、电子有效质量大、材料均匀性好等优势。理论上讲,InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器能够在保持较高量子效率的同时,实现较高的工作温度。在过去二十年间,对InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器的研究已经取得了相当程度的发展。最近的研究表明,InAs/GaSbⅡ类超晶格的基本性能已经达到自适应焦平面阵列的实际需求。但是,InA
InAsGaSb超晶格及量子点材料生长研究的中期报告.docx
InAsGaSb超晶格及量子点材料生长研究的中期报告本研究旨在探究InAsGaSb超晶格及量子点材料的生长特性及其对器件性能的影响。在之前的研究中,我们已经成功地利用分子束外延技术在GaSb基片上生长了不同厚度的InAs/GaSb超晶格材料。并且通过电子束光刻和干法刻蚀工艺制备出了不同尺寸的InAs/GaSb量子点阵列。在本次中期报告中,我们进行了以下工作:1.对之前生长的InAs/GaSb超晶格材料进行了物性表征,主要包括X射线衍射、透射电镜、原子力显微镜等表征手段。结果表明,我们生长的InAs/GaS
InAsGaSb第二类超晶格系统的红外光电特性研究的任务书.docx
InAsGaSb第二类超晶格系统的红外光电特性研究的任务书任务书课题名称:InAsGaSb第二类超晶格系统的红外光电特性研究课题背景:InAs(镓砷化物)与GaSb(砷化镓)是两种重要的半导体材料,它们具有优良的电学和光学性能,在红外领域具有广泛应用。InAs和GaSb的缺点是它们的固溶度很低,同时互相间也缺乏可靠的界面,这会限制它们的应用。针对这个问题,科学家们发明了第二类超晶格系统,在InAs和GaSb中,通过周期性的换代表明形成这种超晶格结构。这种InAsGaSb第二类超晶格系统具有很好的电学和光学
半导体量子点和捕光蛋白的复合及光电特性研究的任务书.docx
半导体量子点和捕光蛋白的复合及光电特性研究的任务书任务书1.研究背景随着人类对新能源的需求日益增长,太阳能作为一种无穷无尽、清洁可再生的能源,正在被广泛研究和应用。然而,传统的太阳能电池仍然存在效率低、成本高等问题,限制了其大规模应用。因此,开发新型太阳能光电材料成为当前研究的热点之一。近年来,半导体量子点作为一种新型材料,因其发光性能优异、载流子传输性能高、可调控性强等特点,被广泛研究和应用于太阳能电池领域。而捕光蛋白作为一种自然光合色素,具有广泛的吸光光谱和快速的电荷传输特性,更是成为太阳能光电材料研