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基于65nm工艺新型SRAM存储单元设计的开题报告
一、选题背景
SRAM（StaticRandomAccessMemory）是一种易失性存储器，具有访问速度快、功耗低等优点。随着计算机、通讯系统、视频处理等应用领域的飞速发展，对内存性能和存储容量要求不断提升，因此SRAM存储单元的设计和优化也成为了学术界和工业界的研究热点。
本文着重在65nm工艺下设计一种新型的SRAM存储单元，以提高SRAM存储单元的容量和抗干扰性能。
二、研究目的
1、设计一种新型的SRAM存储单元，并对其进行适当的优化，提高存储单元的容量和抗干扰性能。
2、利用SPICE等仿真工具对存储单元进行大规模仿真，分析存储单元的工作特性和设计优化的效果。
三、研究内容和方法
1、SRAM存储单元的组成结构和工作原理
SRAM存储单元由存储电容和传输门组成，存储电容用于存储信息，传输门用于读写操作。SRAM存储单元一般通过两个传输门进行读写操作，即写入数据时将数据导入传输门，写入存储电容；读取数据时通过传输门将存储电容中的数据导入到输出线路，以实现数据的读取。
2、存储单元的设计思路
设计一种新型的SRAM存储单元，并将其组成一个存储矩阵。新型存储单元的主要特点:
（1）改变存储单元布局结构，采用MOSFET电容器进行存储和传输，以提高存储单元的容量和抗干扰性能。
（2）改进传输门结构，利用更加高效的传输门降低传输延迟，提高存储单元的读写速度。
（3）优化脉冲控制电路，降低写入时的功耗，提高单元的写入速度和可靠性。
3、设计方法
（1）在TSMC65nm工艺下设计存储单元和存储矩阵，利用基于SPICE的仿真和STA（StaticTimingAnalysis）对设计进行验证和优化。
（2）采用加深互补金属氧化物半导体工艺（DeepSubmicronCMOS），通过改变晶体管的尺寸和间距，进行线路的隔离和抗干扰的提高。
四、预期成果与意义
1、新型SRAM存储单元的设计和优化，提高存储单元的容量和抗干扰性能。
2、SPICE等仿真工具对存储单元进行大规模仿真，进一步验证和优化设计方案。
3、为高性能计算机、通信系统、视频处理等应用领域提供更优异的存储方案。
五、论文结构
本文将分为以下几部分来阐述新型SRAM存储单元的设计和优化：
1、绪论：介绍SRAM存储单元的研究背景、研究目的和意义。
2、SRAM存储单元的组成和工作原理：对SRAM存储单元的组成结构和工作原理进行详细的介绍。
3、存储单元的设计思路和方法：阐述新型SRAM存储单元的设计思路和方法，重点介绍存储单元的布局结构、传输门结构和脉冲控制电路。
4、仿真结果及分析：对设计方案进行SPICE仿真，并进行STA分析，得到存储单元的生产实现情况及性能表现。
5、总结与展望：总结本文的研究内容和结果，对SRAM存储单元的发展进行展望和前瞻。
六、研究进展
目前，我们在TSMC65nm工艺下完成了新型SRAM存储单元的原理设计，并正在进行SPICE仿真和STA分析，以验证设计方案的可行性。接下来，我们将继续进行精细化优化和验证，争取取得更好的研究成果。