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P型GaN基材料的电学性能及其欧姆接触的研究的中期报告
本中期报告主要围绕P型GaN基材料的电学性能及其欧姆接触进行了研究。以下是对研究成果的简要总结：
1.P型GaN基材料的制备
采用分子束外延(MBE)技术制备了P型GaN基材料。通过调节衬底温度、镓、镉和镓流量比等参数，成功生长出了具有P型导电性的GaN材料。
2.电学性能研究
通过电阻率测试和霍尔效应测试等方法，研究了P型GaN基材料的电学性能。实验结果表明，制备的GaN材料具有较低的电阻率和较高的霍尔迁移率，符合P型半导体的特征。
3.欧姆接触研究
优化了欧姆接触工艺，并研究了不同金属电极对P型GaN基材料的欧姆接触性能影响。实验结果发现，采用Ti/Al/Ni/Au电极结构可以得到优良的欧姆接触。
4.光学性能研究
采用光致发光(PL)测试了制备的P型GaN材料的光学性能。实验结果表明，该材料具有较高的发光强度和窄的发光峰宽，适合用于制备电致发光器件。
综上所述，我们通过制备P型GaN基材料并研究其电学性能和欧姆接触等方面的特性，为后续的GaN材料应用研究奠定了基础。