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GaN基垂直结构LED及其欧姆接触研究的中期报告
本文旨在介绍GaN基垂直结构LED及其欧姆接触研究的中期报告。垂直结构LED具有优异的光电性能和热稳定性，且可以实现低电流驱动和高效率工作。但其制备难度较大，且欧姆接触也是一个复杂而关键的问题。
本研究基于磷化氮（AlGaN/GaN）异质结构，在蓝、绿、黄等不同波长范围内成功制备出GaN基垂直结构LED。采用多种工艺对其制备进行了优化，包括光刻、湿法腐蚀、干法腐蚀、离子蚀刻等。通过光学及电学测试，验证了这些器件的光电特性良好。
欧姆接触方面，对于p型GaN材料，采用Pt/Au/Ti三层金属的制备方案，并以不同温度进行热处理。结果表明，在600℃的热处理下，Pt/Au/Ti金属电极与p型GaN材料形成的接触电阻最小，且为欧姆接触。对于n型GaN材料，采用Ti/Al/Ti/Au四层金属的制备方案，通过干法蒸发沉积制成金属电极。结果表明，该方案制备的电极与n型GaN材料形成良好的欧姆接触。
综上，本研究成功制备了GaN基垂直结构LED，并优化了制备工艺；同时，研究了垂直结构LED的欧姆接触问题，为其后续应用提供了重要的技术基础。