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GaN外延生长中的SOI柔性衬底技术研究的中期报告
本文为GaN外延生长中的SOI柔性衬底技术研究的中期报告。该研究旨在研究GaN外延生长过程中的SOI柔性衬底技术，并探索其对GaN外延质量和性能的影响。
目前，我们已经完成了外延生长的初步实验。在实验中，我们使用了SOI衬底，并通过剥离技术将硅层剥离，获得了柔性衬底。接下来，我们在柔性衬底上进行了GaN外延生长。
初步的结果显示，使用SOI柔性衬底可以获得良好的GaN外延。与传统硅衬底相比，SOI柔性衬底可以提高外延质量和晶格匹配度。这主要是因为SOI柔性衬底可以提供更好的面向表面、更低的晶格失配和减少GaN中的附加缺陷。
此外，我们还研究了柔性衬底在GaN外延过程中的固有特性对外延质量和性能的影响。初步结果表明，SOI柔性衬底的厚度、孔洞密度和孔洞直径等参数对GaN外延质量和性能有较大影响。我们将进一步研究这些影响，并寻找优化实验参数的方法。
综上所述，SOI柔性衬底技术对于GaN外延生长具有很大的潜力。我们将继续深入研究，并进一步优化实验参数，以提高GaN外延的质量和性能。