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GaN同质衬底制备及MOCVD外延生长的开题报告
1.研究背景和意义
GaN（氮化镓）研究是当前化学材料研究领域的热点之一。GaN材料具有宽带隙、高电子迁移率、优良的热导率等优良性能，因此在LED、激光器、功率器件等领域有着广泛的应用。其中，GaN同质衬底是制备GaN外延薄膜最重要的基底材料之一。目前，GaN同质衬底制备及外延生长技术已经比较成熟，但是仍然存在一些问题，例如低位错密度、均匀性等方面需要进一步提高。
2.研究内容和方法
本研究将主要围绕GaN同质衬底制备及MOCVD外延生长展开。具体包括以下内容：
（1）GaN同质衬底制备方法的研究：借鉴已有的研究成果，采用低压化学气相沉积方法制备GaN同质衬底，并优化制备参数以提高材料质量。
（2）GaN同质衬底的表征：采用X射线衍射、扫描电镜等表征手段对制备的GaN同质衬底进行结构、形貌等方面的表征。
（3）MOCVD外延生长方法的研究：通过改变不同的生长条件，如温度、压力、流量等，来优化GaN外延生长过程中的生长质量和均匀性。
（4）外延薄膜的表征：采用X射线衍射、扫描电镜等表征手段对GaN外延薄膜进行材料结构、形貌等方面的表征。
3.预期结果
本研究预期能够成功制备出低位错密度、高质量的GaN同质衬底，并且通过优化生长条件，得到具备良好性能的GaN外延薄膜。同时，通过对制备和生长过程的深入研究，将会揭示其内在机理和生长方式，为今后的GaN材料研究提供有益的参考。
4.研究意义
本研究对于促进GaN材料的研究和应用具有重要的意义。一方面，优化制备和生长过程可以提高GaN材料的质量，从而更好地满足其在LED等领域的应用需求；另一方面，对GaN同质衬底制备和生长过程的深入探索，将有助于我们更深入地理解GaN材料的性质和机理，推动相关研究的进一步发展。