ZnO半导体薄膜的制备及其掺杂特性的研究的中期报告.docx

ZnO半导体薄膜的制备及其掺杂特性的研究的中期报告
本研究的主要目的是制备ZnO半导体薄膜并探究其掺杂特性。目前已完成的工作包括以下方面：
1.制备ZnO薄膜：采用RF磁控溅射法制备ZnO薄膜，以氧气为氧化剂，控制反应室内的氧分压值，调节溅射功率和沉积时间来控制薄膜的质量和厚度。
2.表征ZnO薄膜的物理性质：采用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）和紫外可见吸收光谱（UV-Vis）来研究ZnO薄膜的晶体结构、表面形貌和光学性质。
3.掺杂ZnO薄膜：采用离子注入法（ionimplantation）将不同种类的掺杂元素（如铝、锗等）注入到ZnO薄膜中，通过改变注入剂量和能量来调节掺杂深度和浓度。
4.分析掺杂ZnO薄膜的光电性能：采用光电子能谱（XPS）和电学测试（电导率、电阻率等）来分析掺杂ZnO薄膜的化学状态和电学性质。
目前的研究结果表明，ZnO薄膜具有良好的结晶性和表面形貌，并且其光学吸收谱具有显著的紫外光吸收峰。经铝掺杂后，ZnO薄膜的导电性能得到了显著提高，且掺杂浓度和注入能量与导电性能之间存在一定的关系。未来的研究将进一步探究掺杂对ZnO薄膜光学性能的影响，为其在光电器件中的应用提供理论支持。