双掺杂铌酸锂晶体中双色复用存储技术研究的中期报告.docx
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双掺杂铌酸锂晶体中双色复用存储技术研究的中期报告.docx
双掺杂铌酸锂晶体中双色复用存储技术研究的中期报告本研究旨在探究双掺杂铌酸锂晶体的双色复用存储技术,为高密度信息存储提供一种新型可行方案。中期研究工作主要包括以下几个方面:1.铌酸锂晶体双掺杂制备采用溶胶-凝胶法制备了铌酸锂晶体,并通过离子掺杂法成功地将钾、钴离子掺杂到晶体中。双掺杂后的晶体表明晶格略微畸变,极化强度增加,增强了内部电场的稳定性,有助于存储位的稳定性。2.双色复用存储原理研究基于铌酸锂晶体的非线性光学特性和双色复用存储的工作原理,建立了存储原理模型。该模型分析了双色复用存储的物理过程和存储特
双掺杂铌酸锂晶体中双色复用存储技术研究的任务书.docx
双掺杂铌酸锂晶体中双色复用存储技术研究的任务书任务名称:双掺杂铌酸锂晶体中双色复用存储技术研究任务背景与目的:双掺杂铌酸锂晶体具有较高的光学各向异性和双光轴性能,可用于光学存储领域。本任务旨在研究在双掺杂铌酸锂晶体中实现双色复用存储技术,以提高其光存储效率和容量。任务内容与进度安排:1.双掺杂铌酸锂晶体的制备及性质研究(2个月)任务重点:1)研究双掺杂铌酸锂晶体的制备工艺,寻找最佳制备条件;2)分析并测试其晶体结构、晶格常数、折射率、光吸收谱等性质。2.双色复用存储技术的原理及实验研究(4个月)任务重点:
双掺杂铌酸锂晶体全息存储性能的理论研究的中期报告.docx
双掺杂铌酸锂晶体全息存储性能的理论研究的中期报告本研究旨在理论分析双掺杂铌酸锂晶体在全息存储中的性能。本期报告主要介绍了研究中使用的方法和初步结果。首先,我们采用密度泛函理论(DFT)计算了不同浓度和掺杂元素组合的双掺杂铌酸锂的电子结构和光学性质。我们发现,在合适的掺杂浓度下,掺杂铅和铌元素可以显著提高晶体的光学非线性效应,并且这种效应随着浓度的增加而增强。接下来,我们使用基于传输矩阵的方法模拟了双掺杂铌酸锂晶体的全息存储性能。通过对比不同掺杂浓度和元素组合条件下的传输特性,我们发现掺杂铌和铅元素可以显著
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LiNbO3晶体的生长目录CONTENTPARTONE晶体结构理想的情况下六角堆积最紧密,形成正八面体。但实际上,该八面体是畸变的,而且[LiO6]和[NbO6]八面体畸变的程度不同。顺电相时,Li位于氧三角形平面内,Nb位于两层氧平面之间,即氧八面体中心,无自发极化。转变为铁电相后,晶格发生畸变,Li和Nb都有一小段位移,Li沿着晶体的+c轴移动0.071nm,Nb移动约0.026nm,这样Li进入两层氧平面之间,而Nb也偏离氧八面体中心,由此晶格产生畸变。理想的阳离子堆积顺序为…LiNb--Li-Nb