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双掺杂铌酸锂晶体中双色复用存储技术研究的中期报告 本研究旨在探究双掺杂铌酸锂晶体的双色复用存储技术,为高密度信息存储提供一种新型可行方案。中期研究工作主要包括以下几个方面: 1.铌酸锂晶体双掺杂制备 采用溶胶-凝胶法制备了铌酸锂晶体,并通过离子掺杂法成功地将钾、钴离子掺杂到晶体中。双掺杂后的晶体表明晶格略微畸变,极化强度增加,增强了内部电场的稳定性,有助于存储位的稳定性。 2.双色复用存储原理研究 基于铌酸锂晶体的非线性光学特性和双色复用存储的工作原理,建立了存储原理模型。该模型分析了双色复用存储的物理过程和存储特性,为进一步的实验设计提供了理论支持。 3.激光器和测量系统的建立 实验使用了紫外和红外激光器同时照射晶体。针对不同波长光的强度差异,建立了恒温恒湿的测量系统进行精确测量,验证了双色复用存储的可行性。 4.存储实验结果分析 通过控制激光功率、光波长、记录时间等参数,获得了双色复用存储图像和数据。经对比发现,红光和紫外光记录效果相似,但在读取和擦除上具有分离的特性,实现了双色复用存储的可行性。 总之,本研究为双掺杂铌酸锂晶体的双色复用存储技术提供了实验证据,并为后续工作提供了指导和支持。未来的研究方向包括进一步探究存储材料的光学性能和优化存储系统,扩大存储容量和提高数据读取速度等。