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双掺杂铌酸锂晶体全息存储性能的理论研究的中期报告
本研究旨在理论分析双掺杂铌酸锂晶体在全息存储中的性能。本期报告主要介绍了研究中使用的方法和初步结果。
首先，我们采用密度泛函理论（DFT）计算了不同浓度和掺杂元素组合的双掺杂铌酸锂的电子结构和光学性质。我们发现，在合适的掺杂浓度下，掺杂铅和铌元素可以显著提高晶体的光学非线性效应，并且这种效应随着浓度的增加而增强。
接下来，我们使用基于传输矩阵的方法模拟了双掺杂铌酸锂晶体的全息存储性能。通过对比不同掺杂浓度和元素组合条件下的传输特性，我们发现掺杂铌和铅元素可以显著提高全息存储的储存密度，并且这种提高随着掺杂浓度的增加呈现为先增加后降低的趋势。
最后，我们进行了实验验证，采用电子束曝光和光学显微镜观察了不同条件下的全息存储效果。初步结果表明，掺杂铌和铅元素的双掺杂可以显著提高晶体的光响应性能和全息存储效率。
总的来说，本研究初步证明了双掺杂铌酸锂晶体在全息存储中的潜在应用前景，并提供了理论和实验依据，为后续进一步探究其性能提供了思路和方法。