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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107919307A(43)申请公布日2018.04.17(21)申请号201711267254.X(22)申请日2017.12.05(71)申请人泰州中来光电科技有限公司地址225500江苏省泰州市姜堰经济开发区开阳路6号(72)发明人林建伟何大娟刘志锋季根华刘勇(74)专利代理机构北京金之桥知识产权代理有限公司11137代理人林建军(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)H01L21/677(2006.01)H01L31/18(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称一种湿法刻蚀的上料装置(57)摘要本发明涉及一种湿法刻蚀的上料装置,包括上料主机台、反应槽、滚轮、储液槽,反应槽设置在上料主机台上,滚轮设置在反应槽的顶部,反应槽里放置有腐蚀液,反应槽中的腐蚀液的液面高于滚轮的底部,储液槽中的化学品和水通过循环泵输送至反应槽,储液槽上设置有化学品配液添加系统和水配液添加系统。其有益效果是:本实施例的湿法刻蚀的上料装置将上料和反应槽集成于一个单元槽,在完成硅片上料的同时,还可实现去除单面磷硅玻璃PSG、硼硅玻璃BSG、氮化硅SiNx等工艺的功能槽作用,从而增加了本发明的湿法刻蚀的上料装置的功能,减少了制造工序及设备成本,节约了功能槽的长度,节省了设备空间,减少了多道滚轮转动带来的碎片。CN107919307ACN107919307A权利要求书1/1页1.一种湿法刻蚀的上料装置,包括上料主机台、反应槽、滚轮、储液槽,其特征在于:所述反应槽设置在所述上料主机台上,所述滚轮设置在所述反应槽的顶部,所述反应槽里放置有腐蚀液,所述反应槽中的腐蚀液的液面高于所述滚轮的底部,所述储液槽中的化学品和水通过循环泵输送至所述反应槽,所述储液槽上设置有化学品配液添加系统和水配液添加系统。2.根据权利要求1所述的一种湿法刻蚀的上料装置,其特征在于:所述储液槽中还设置有化学品自动补给系统和水自动补给系统。3.根据权利要求1或2所述的一种湿法刻蚀的上料装置,其特征在于:所述滚轮为螺纹带液滚轮或海绵带液滚轮,所述滚轮带有定向功能。4.根据权利要求3所述的一种湿法刻蚀的上料装置,其特征在于:硅片通过所述滚轮之间的辊道水平输送,所述硅片的前部刚进入到反应槽中时,所述硅片的头部边缘略微接触反应槽中的腐蚀液的液面,以使得所述腐蚀液在硅片下表面形成薄膜。5.根据权利要求1或2所述的一种湿法刻蚀的上料装置,其特征在于:所述湿法刻蚀的上料装置还包括独立的循环系统和抽风系统。6.根据权利要求5所述的一种湿法刻蚀的上料装置,其特征在于:所述反应槽的材质为聚丙烯,其长度为400-1000nm。2CN107919307A说明书1/3页一种湿法刻蚀的上料装置技术领域[0001]本发明涉及晶体硅太阳能电池制造过程中的湿法刻蚀的技术领域,具体涉及一种湿法刻蚀的上料装置。背景技术[0002]晶体硅太阳能电池常规生产工艺一般包括以下步骤:清洗、制绒、扩散、刻蚀、去PSG、PECVD、丝网印刷和烧结。其中,刻蚀是其中的一个重要环节,其目的是去掉硅片背面和四周的PN结,以使硅片的正面和背面相互绝缘。[0003]目前,链式结构设备是一种常用的湿法刻蚀设备,其原理是:在HF/HNO3体系中,利用表面张力和毛细力的作用去除边缘和背面的PN结,而不会影响太阳能电池的结构。这种设备包括:刻蚀槽、水喷淋槽、碱槽、水喷淋槽、去PSG槽、水喷淋槽和吹干装置。[0004]随着各种新型高效电池的兴起,钝化技术对电池表面的要求越来越高,由于高温炉管等设备本身的限制,制备过程中容易带来另一面的绕镀现象,如何去除这一面绕镀的生成物,如磷硅玻璃PSG、硼硅玻璃BSG或氮化硅SiNx等物质,是电池制备过程中的一大难点。如果直接走湿法刻蚀,刻蚀并不能完全将绕镀生成物去除干净,因而会造成较高的表面复合速率,大大地降低电池的转换效率。[0005]目前,在湿法刻蚀机台上解决该问题的工艺流程如下:第一台设备:入料→单边刻蚀→水洗→吹干→出料;第二台设备:上料→刻蚀→水洗→HF酸洗→水洗→下料。这种方法不仅导致了设备的结构长,而且还增加了制造成本。因此,如何在不增加工序的基础上实现单面刻蚀是本领域的一大技术挑战。发明内容[0006]本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种结构简单、成本低的晶体硅太阳能电池制造过程中的湿法刻蚀的上料装置。[0007]本发明的一种湿法刻蚀的上料装置,其技术方案为:[0008]一种湿法刻蚀的上料装置,包括上料主机台、反应槽、滚轮、储液槽,所述反应槽设置在所述上料主机台上,所述滚轮设置在所述反应槽的顶部,所述反应槽里放置有腐蚀液,所述反应槽中的腐蚀液的液面高于所述滚轮的底部,所述储液槽中