抛光组件及其抛光工艺方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108098570A(43)申请公布日2018.06.01(21)申请号201711343704.9(22)申请日2017.12.15(71)申请人苏州新美光纳米科技有限公司地址215000江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城NW-20#107、108、109、110(72)发明人冯光建夏秋良(74)专利代理机构北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371代理人周宇(51)Int.Cl.B24B37/34(2012.01)B24B1/00(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图3页(54)发明名称抛光组件及其抛光工艺方法(57)摘要本发明提供了一种抛光组件及其抛光工艺方法，涉及半导体技术领域，为解决现有抛光工艺过程中，待加工件的外表面在抛光液和游星轮内壁的挤压下也被抛光，使得抛光件的原貌或者抛光件的外表面形貌被抛光的问题而设计。涉及一种抛光组件，包括抛光件，抛光件的外侧面向外包覆有保护层。还涉及一种抛光工艺方法，包括上述的抛光组件。该抛光组件及其抛光工艺方法不会使抛光件的外侧面的尺寸发生任何改变，从而达到抛光件的外侧面不受或者少受抛光影响的要求。CN108098570ACN108098570A权利要求书1/2页1.一种抛光组件，用于抛光工艺中，其特征在于，包括：抛光件(200)，所述抛光件(200)的外侧面依次向外包覆有胶膜层(110)和承载膜层(120)，所述胶膜层(110)和所述承载膜层(120)粘结固定，所述胶膜层(110)粘结在所述抛光件(200)的外侧面。2.一种如权利要求1所述的抛光组件的抛光工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：将所述胶膜层(110)和所述承载膜层(120)粘结固定，并将所述胶膜层(110)粘结在所述抛光件(200)的外侧面；步骤二：取下所述抛光件(200)上的所述承载膜层(120)，并使所述胶膜层(110)固化；步骤三：抛光所述步骤二中的所述抛光件(200)，待完成抛光后去除所述步骤二中的所述胶膜层(110)。3.根据权利要求2所述的抛光工艺方法，其特征在于，在所述步骤二中，所述胶膜层(110)通过加热、UV照射或者挤压的方式使其固化；在所述步骤三中，待完成抛光后，所述抛光件(200)通过煅烧或者湿法去除的方式去除所述抛光件(200)的外侧面的所述胶膜层(110)。4.一种抛光组件，用于抛光工艺中，其特征在于，包括：抛光件(200)，所述抛光件(200)的外周面向外包覆有沉积膜层(130)。5.一种如权利要求4所述的抛光组件的抛光工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：在所述抛光件(200)的外周面沉积一层所述沉积膜层(130)；步骤二：将所述步骤一中的所述抛光件(200)的待抛光面处的所述沉积膜层(130)去除，露出待抛光面；步骤三：抛光所述步骤二所述抛光件(200)，待完成抛光后去除所述步骤二中的所述沉积膜层(130)。6.根据权利要求5所述的抛光工艺方法，其特征在于，在所述步骤一中，所述抛光件(200)通过采用氧化法、氮化法、气相沉积法、磁控溅射法、物理气相沉积法中的任一种在其外周面沉积一层所述沉积膜层(130)；在所述步骤二中，所述沉积膜层(130)通过气相刻蚀或药液刻蚀方式对待抛光面处的所述沉积膜层(130)去除，使待抛光面露出；或者是，所述沉积膜层(130)通过研磨或者抛光方式使待抛光面处的所述沉积膜层(130)去除，使待抛光面露出；在所述步骤三中，待完成抛光后，所述抛光件(200)通过湿法刻蚀或干法刻蚀的方式去除所述抛光件(200)的外侧面的所述沉积膜层(130)。7.一种抛光组件，用于抛光工艺中，其特征在于，包括：抛光件(200)，所述抛光件(200)的外侧面或外周面向外包覆有光刻胶膜层(140)。8.一种如权利要求7所述的抛光组件的抛光工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：在所述抛光件(200)的外侧面或外周面涂覆一层所述光刻胶膜层(140)；步骤二：将所述步骤一中所述抛光件(200)的待抛光面处的所述光刻胶膜层(140)去除，露出待抛光面；步骤三：使所述抛光件(200)的外侧面的所述光刻胶膜层(140)固化；步骤四：抛光所述步骤三中的所述抛光件(200)，待完成抛光后去除所述步骤三中的所述光刻胶膜层(140)。2CN108098570A权利要求书2/2页9.根据权利要求8所述的抛光工艺方法，其特征在于，在所述步骤一中，所述抛光件(200)通过采用磁控溅射法或提拉法在其外侧面或外周面涂覆一层所述光刻胶膜层(140)；所述抛光件(200)的外周面向外包覆有所述光刻胶膜层(140)时，在所述步骤二中，对所述抛光件(200)显影或者药液清洗待抛光面的所述光刻胶膜层(1