含杂质的介观结构中电子输运性质的研究的中期报告.docx

含杂质的介观结构中电子输运性质的研究的中期报告
尊敬的评委和同学们：
我来报告一下我关于含杂质的介观结构中电子输运性质的研究的中期进展。
首先，我简要介绍了研究背景和意义。介观结构中的电子输运特性在纳米电子学中具有重要意义，尤其是对于制备高效电子器件，如纳米晶体管和聚合物太阳能电池。然而，由于杂质的存在和复杂的几何结构，介观结构中的电子输运往往会受到严重影响。因此，本研究旨在通过计算方法研究杂质对介观结构中电子输运性质的影响。
接下来，我简单阐述了研究方法和过程。我们以硅基垂直量子点为模型系统，通过密度泛函理论计算体系的基态能量、电荷分布和局部态密度等相关性质，并利用非平衡格林函数方法模拟体系的电子输运特性。通过添加不同种类和浓度的杂质，我们研究了杂质对体系的电子输运性质的影响，并进一步探究了此影响与杂质类型、浓度和位置的关系。
最后，我简要总结了已有的部分结果和进展。我们发现，杂质会显著改变体系的带隙、平均自由程和电导率等性质，并且这些影响会随着杂质类型和浓度的不同而有很大差别。此外，我们还发现杂质的添加对导电性能的影响是异质性的，并且位置的变化也会导致不同的结果。
总之，我们的研究为进一步理解含杂质的介观结构中电子输运特性提供了重要思路和理论基础，并为未来纳米电子器件的设计和制备提供了一定的理论指导。谢谢！