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应变硅价带结构及空穴迁移率模型研究的任务书
任务书
任务名称：应变硅价带结构及空穴迁移率模型研究
任务目的：
1.探究应变硅的价带结构和空穴迁移率。
2.建立应变硅的空穴迁移率模型。
3.为设计新型半导体器件提供理论基础。
任务内容：
1.应变硅的价带结构研究：
应变硅具有优异的电学性能，其中具有重要功能的是其价带结构，其决定了硅器件的性能。通过理论计算和模拟，探究应变硅中的价带能级分布及其对器件性能的影响。
2.空穴迁移率模型研究：
空穴迁移率是评价半导体器件材料性能优劣的重要指标之一。通过实验和理论计算，建立应变硅的空穴迁移率模型。
3.任务计划：
任务计划表：
|任务|计划时间|
|:-:|:-:|
|1.研究应变硅的价带结构|2个月|
|2.建立应变硅的空穴迁移率模型|3个月|
|3.撰写研究报告|1个月|
4.任务分工：
任务分工表：
|成员|任务分工|
|:-:|:-:|
|A|研究应变硅的价带结构|
|B|建立应变硅的空穴迁移率模型|
|C|撰写研究报告|
备注：任务分工可以适当调整，但需要保证完成任务的质量和时间。
5.任务成果：
本次研究的成果包括：
1.应变硅的价带结构分布图。
2.应变硅的空穴迁移率模型。
3.一篇包含实验结果、数据分析、模型推导及应用前景的研究报告。
参考文献：
1.黄宝成，李小林.应变硅材料及其器件应用研究[J].半导体技术，2015，40(2):92-96.
2.徐龙春，刘洪来.应变硅电学性质研究进展[J].中国电子物理学报，2014，7(5):542-548.
3.郑风华，刘春辉，张红果，等.应变硅的物理性质研究及应用[J].云南大学学报(自然科学版)，2014，36(2):200-207.
任务要求：
完成本次任务需要具备以下能力：
1.精通半导体器件的基本原理和材料学知识。
2.具备一定的计算机仿真技能和数据分析能力。
3.对半导体材料的制备技术、测试方法等有一定了解。
4.良好的沟通能力，能够与合作成员进行紧密协作。
5.高度的责任心和团队精神。