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InGaAs量子阱中二维电子气的输运特性的中期报告
本论文旨在研究InGaAs量子阱中二维电子气的输运特性。在本次研究中，我们使用了多种实验方法，包括四探针测量、霍尔效应测量和低温扫描探针显微镜测量。
首先，我们对InGaAs量子阱样品进行了晶体结构和表面形貌的表征。使用X射线衍射和扫描电子显微镜，我们确定了样品的晶格参数和表面形貌，并验证了其与文献中报道的结构相符。
然后，我们在样品中制备了四探针测量器件，通过对器件进行电学特性测试，我们得到了样品在不同温度下的电阻率和电荷密度等信息。在低温下，我们观察到了样品呈现霍尔效应，并进一步探究了霍尔电流与磁场的关系。实验结果表明，在较低磁场下，霍尔电流呈现线性增长趋势，而在高磁场下霍尔电流的增长呈现饱和趋势。
除此之外，我们还使用了低温扫描探针显微镜，研究了样品的局域输运特性。我们发现，在局域区域内，样品的电流输运存在非线性特性，且这种非线性特性与样品的表面形貌密切相关。
综上所述，我们在本次研究中对InGaAs量子阱中二维电子气的输运特性进行了初步探究，实验结果表明，样品的输运特性与其表面形貌、温度和磁场等因素密切相关。未来，我们将继续深入研究这一领域，探究样品的量子输运特性，并进一步优化样品结构，提高其应用效率。