InGaNGaN量子阱发光特性及反常输运行为研究的中期报告.docx

InGaNGaN量子阱发光特性及反常输运行为研究的中期报告
这个报告涉及了InGaNGaN量子阱的发光特性和反常输运行为的研究，下面对其中一些主要内容进行简要概括：
1.InGaN/GaN量子阱的生长和结构特征：介绍了InGaN/GaN量子阱的生长条件和生长过程中的一些结构特征，包括在不同生长温度下的晶体质量和InGaN量子阱的厚度和组分分布。
2.InGaN量子阱的光学特性：通过在低温下的光致发光和光吸收谱研究了InGaN量子阱的发光特性，发现在InGaN量子阱的组分为0.16左右时，能够获得最强的绿色发光。同时也探究了InGaN量子阱的激子荷载情况以及其在不同温度下的退火效应。
3.InGaN量子阱中的反常输运行为：通过在不同电场下的电导率和霍尔测量研究了InGaN量子阱中的（隧穿）反常输运行为。表明在高电场下会出现隧穿效应，并且在低温下对电路设备的可靠性造成不利影响。
以上是该报告的主要内容，下一步将继续对相关特性进行研究，并为光电器件的优化提供基础数据和理论指导。