CdSeCdS、ZnSe及其掺杂纳米材料的制备及性能研究的中期报告.docx

CdSeCdS、ZnSe及其掺杂纳米材料的制备及性能研究的中期报告
本研究旨在探究CdSeCdS、ZnSe及其掺杂纳米材料的制备方法及特性。目前已完成样品制备及初步表征，中期结果如下：
1.CdSeCdS纳米材料的制备
采用溶液法制备CdSeCdS纳米材料，首先制备CdSe芯片后，加入CdS前体溶液，反应20分钟后得到蓝色沉淀。经离心、洗涤、干燥后得到CdSeCdS纳米晶体。通过透射电镜观察，CdSeCdS纳米晶体呈球形，粒径为3-5nm。
2.ZnSe纳米材料的制备
采用热分解法制备ZnSe纳米材料，将Zn（AC）2和Se粉末混合后在氢气氛围下进行热分解反应，得到黑色物质。使用X射线衍射仪（XRD）和透射电子显微镜（TEM）对样品进行分析，结果表明得到了纯ZnSe纳米结晶，晶粒大小约为10nm。
3.掺杂纳米材料的制备
分别采用化学共沉淀法和热分解法制备改性剂浓度为3%的CdSeCdS纳米晶体和ZnSe纳米结晶。经表面改性后，分别得到掺杂CdSeCdS纳米晶体和掺杂ZnSe纳米结晶。掺杂CdSeCdS纳米晶体中添加的改性剂为Zn2+离子，掺杂ZnSe中添加的改性剂为Ag+离子。掺杂后的样品经透射电镜观察，发现掺杂物微小且分布均匀，平均粒径稍有增大。
4.中期结论
通过初步表征结果，CdSeCdS纳米晶体和ZnSe纳米结晶的制备方法已确定，掺杂纳米材料已成功合成。进一步的物理性能测试与表征工作将进行。