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双隧道结中极化率和隧穿磁电阻的研究的中期报告
双隧道结是一种重要的半导体器件结构，它在磁性存储器、逻辑电路和传感器等领域得到了广泛应用。本报告主要介绍了我们对双隧道结中极化率和隧穿磁电阻的研究进展。
首先，我们使用密度泛函理论计算了Fe/MgO/Fe双隧道结的极化率。结果显示，当外加电场在垂直于界面的方向上增大时，中心原子的电子轨道对电子自旋起到的作用变强，效应导致了系统磁矩的增加。此外，我们还分析了温度和缺陷对极化率的影响。
其次，我们研究了双隧道结的隧穿磁电阻。通过对镍铁合金与铝铍硅氧化物（Al2O3）和镁氧化物（MgO）双隧道结的电学和磁学特性的测量，我们发现在特定的磁场方向下，出现了巨大的磁电阻效应。该效应可为磁性存储和传感器等应用提供重要支持。
最后，我们对双隧道结的应用进行了讨论。我们认为，极化率和隧穿磁电阻的研究将帮助我们更深入地理解双隧道结的核心物理机制，并为其在磁性存储器和传感器等领域的应用提供了新思路。
总之，我们的中期报告展示了我们的研究成果，对双隧道结中极化率和隧穿磁电阻的研究提供了新的发现和理解。