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磁性隧道结中隧穿磁电阻偏压性质的研究的综述报告
磁性隧道结（MagneticTunnelJunction，MTJ）由两个自旋极化电极和介于它们之间的一层薄膜组成。这层薄膜通常是一个有机或无机化学物质。MTJ作为一种高灵敏度的磁电阻（Magnetoresistance，MR）传感器、高密度数据存储器件和自旋计量尺等装置的重要部分已得到广泛研究。
在MTJ中，自旋极化电极中的极化轨道电子会穿过介于两电极之间的薄膜，并调节其穿透程度来调整磁电阻。隧穿磁电阻的大小是由自旋极化电极之间的相对磁向决定的，因此该特性通常被称为磁电阻效应。在MTJ的晶格中，隧道结成为了穿过隧道层的隧穿电子的通道。此外，配合磁场的作用，磁隧道结中便会出现隧穿磁电阻效应。
MTJ隧穿磁电阻偏压表现如下：当一个电流I通过MTJ时，MTJ产生一个电势差V。此时，MTJ偏压为V/I。MTJ偏压是评估MTJ性质的重要参数之一，它可以用来描述MTJ的隧道电导和穿透特性是如何被调节的。
从微观结构来看，在隧穿磁电阻中，磁场调整了态密度和自旋化状态，影响了隧道电流流动路径，使隧道电流通过MTJ时更容易获得自旋偏振。这主要归因于在自旋极化电极/MTJ界面处，磁场和电流方向平行，从而导致界面处的自旋极化。这种自旋极化效应改善了电流通过MTJ时的传输特性，从而导致磁电阻的增大。实现MTJ隧穿磁电阻效应的关键技术是调控电极层之间的磁场，以及控制隧道层的形貌和厚度。
MTJ隧穿磁电阻的应用广泛，如在高密度储存系统、自动驾驶和医疗数据传输等方面都有重要的应用。为了实现更高性能的MTJ，需要进一步发展MTJ材料和技术，研究其磁电特性及其相应的应用。同时，还有很多需要解决的问题，如更好理解MTJ的微观结构和物理机制、提高隧道层的均匀性和稳定性等。
近年来，随着MTJ研究的不断发展，MTJ隧穿磁电阻偏压效应得到了较大的进展。相信在未来，随着MTJ磁电阻效应的不断提高，MTJ在电子信息技术中的应用将会越来越广泛。