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GaN外延层与纳米线的制备及表征的中期报告
本次研究的目的是制备GaN外延层和纳米线以及对其进行表征。研究分为两个部分，第一部分是GaN外延层的制备，第二部分是GaN纳米线的制备。
第一部分，GaN外延层的制备。采用MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长GaN外延层。通过控制外延层表面形貌和质量，探究在不同条件下对GaN生长行为的影响。通过扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD)和原子力显微镜（AFM)对GaN外延层进行了表征，结果表明GaN层质量良好，表面光滑，没有明显缺陷。
第二部分，GaN纳米线的制备。采用先进的溶胶-凝胶化学反应法制备GaN纳米线，并研究不同条件下GaN纳米线的生长行为。通过SEM、XRD和AFM对GaN纳米线进行了表征，结果表明纳米线直径在20-50nm之间，具有良好的晶体结构和高的结晶度。
总结下来，本次研究成功地制备了GaN外延层和纳米线，并对其进行了表征。这项研究为其他相关领域的研究提供了参考，为大幅优化GaN基材料的性能以及开发相关的纳米电子元件提供了支持。