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GaN薄膜的分子束外延制备和极性研究的中期报告
本报告主要介绍了GaN薄膜的分子束外延制备和极性研究的研究进展情况，包括以下内容：
1.研究背景
GaN是一种具有广泛应用前景的III-V族宽禁带半导体材料，具备优良的光电特性和热学性能，可以应用于LED、光电器件、高功率器件等领域。GaN薄膜的制备技术是研究GaN材料性质和应用的关键，而分子束外延是其中一种高质量、高控制、稳定性好的制备方法。
2.实验过程
本研究采用分子束外延方法制备GaN薄膜，通过调节温度、功率、气压等参数，控制GaN薄膜的生长速率和质量。同时，采用X射线衍射、扫描电子显微镜等分析手段，对生长的GaN薄膜进行了表征。
3.结果与分析
实验结果显示，经过优化调节后，生长的GaN薄膜具有较高的结晶质量和光学质量。同时，通过极性研究发现，GaN薄膜的表面极性以c面优势为主，且在不同温度下会发生变化。
4.结论
本研究采用分子束外延方法成功制备了GaN薄膜，并对其表面极性进行了研究。结果表明，优化调节生长参数可以获得高质量的GaN薄膜，同时表面极性的研究可以为GaN薄膜的优化和应用开发提供参考。未来还将探究更多的GaN薄膜性质和应用领域。