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GaN基高居里温度稀磁半导体的制备和性能研究的中期报告.docx
2024-09-15
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GaN基高居里温度稀磁半导体的制备和性能研究的中期报告.docx
GaN基高居里温度稀磁半导体的制备和性能研究的中期报告摘要：高居里温度稀磁半导体材料具有在高温下仍然表现出稀磁性和半导体特性的特点，能够在磁电子器件中发挥重要的作用。本研究选取了GaN作为基底材料，并采用分子束外延技术在GaN上生长稀磁半导体材料。通过X射线衍射、扫描电子显微镜等测试手段对材料的结构和形貌进行了表征，发现所制备的材料为单晶体，并且表面光滑。通过测量样品电阻率和霍尔系数，得到样品的载流子浓度和类型，发现样品中存在着p型掺杂。在温度范围为80-400K下，对样品的电学性能进行了测试，得到了样品
2024-09-15
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GaN基稀磁半导体的制备与性质研究的中期报告.docx
GaN基稀磁半导体的制备与性质研究的中期报告一、研究背景稀磁半导体在磁性与半导体特性上的优秀表现使其成为当今研究的热点之一。同时，氮化镓（GaN）因其优异的物理、化学和电学性质而备受关注。GaN基稀磁半导体则具有更加广泛的应用前景，例如在自旋电子学、磁光学、磁存储等领域具有重要的应用价值。二、研究内容本研究通过化学气相沉积法在氮化镓衬底上生长稀磁半导体材料，同时通过各种材料表征手段对材料进行分析。1.生长体系使用的气源为AsH3和Mn(CO)5，衬底为氮化镓。2.表征手段X射线衍射分析（XRD）、扫描电子
2024-09-15
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GaN基稀磁半导体的理论与实验研究的中期报告.docx
GaN基稀磁半导体的理论与实验研究的中期报告1.引言稀磁半导体是一类特殊的半导体材料。与传统半导体材料不同的是，稀磁半导体在其晶格中掺杂有稀磁元素，如铁、钴、镍等。这些稀磁元素在晶格中自带磁矩，因此具有磁性。在稀磁半导体中，稀磁元素的磁性和半导体的光电性质可以相互作用，使得这些材料具有磁性和光电性能的结合，并有可能应用于磁光存储、磁光调制器、磁光传感器等领域。本文主要介绍了我们团队在GaN基稀磁半导体的理论与实验研究方面的中期进展。2.理论模拟在理论模拟方面，我们使用密度泛函理论（DFT）对GaN基稀磁半
2024-09-15
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ZnO基稀磁半导体材料的制备及性能研究的中期报告.docx
ZnO基稀磁半导体材料的制备及性能研究的中期报告正文引言ZnO是一种重要的半导体材料，具有优越的光电性能，在蓝紫外光谱范围内具有高透明性和宽带隙，是制备高效能、低成本的光电器件的理想材料。同时，由于ZnO的空位很多，使得它具有磁化的可能性。因此，ZnO基稀磁半导体材料已经成为了近年来研究的热点之一。本研究旨在通过化学合成的方法制备ZnO基稀磁半导体材料，并研究其结构和磁性质。实验方法实验中采用了水热法成功制备了ZnO基稀磁半导体材料。具体过程如下：1.首先将锌硝酸和三氢氧化铁溶液混合，在搅拌下加入乙二醇，
2024-09-14
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ZnO基稀磁半导体的制备与磁性研究的中期报告.docx
ZnO基稀磁半导体的制备与磁性研究的中期报告本次中期报告主要介绍了ZnO基稀磁半导体的制备方法以及磁性研究进展。一、制备方法本研究采用溶胶-凝胶法制备ZnO基稀磁半导体。首先，将适量的Zn（CH3COO）2·2H2O和Mn（CH3COO）2·4H2O混合，加入甲醇中，搅拌均匀后，在恒温搅拌条件下，逐渐加入氨水溶液，形成胶体。随后，将胶体倒入器皿中，经过干燥和热处理，得到ZnO基稀磁半导体。我们通过X射线衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜等手段对样品进行表征，结果表明我们所制备的样品结构单一，纯度高，晶体
2024-09-15
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