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GaN基稀磁半导体的制备与性质研究的中期报告
一、研究背景
稀磁半导体在磁性与半导体特性上的优秀表现使其成为当今研究的热点之一。同时，氮化镓（GaN）因其优异的物理、化学和电学性质而备受关注。GaN基稀磁半导体则具有更加广泛的应用前景，例如在自旋电子学、磁光学、磁存储等领域具有重要的应用价值。
二、研究内容
本研究通过化学气相沉积法在氮化镓衬底上生长稀磁半导体材料，同时通过各种材料表征手段对材料进行分析。
1.生长体系
使用的气源为AsH3和Mn(CO)5，衬底为氮化镓。
2.表征手段
X射线衍射分析（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、能谱分析（EDS）等。
三、研究进展
1.生长条件优化：通过调节生长温度、气源比例等条件，优化生长参数，得到了生长质量较好的GaN基稀磁半导体薄膜。
2.表征分析：通过XRD分析得到材料的结晶性和晶体结构信息；通过SEM和TEM观察材料的表面形貌和内部结构；通过EDS分析得到材料的元素成分信息。初步的结果表明，所生长的材料具有良好的结晶性和稀磁半导体的特征。
四、研究展望
下一步将继续优化生长条件，提高材料的生长质量；同时，进一步研究材料的磁学性质，完善GaN基稀磁半导体的性质研究，为其应用开发提供实验基础。