C波段GaN基PA MMIC的研制的任务书.docx

C波段GaN基PAMMIC的研制的任务书
任务书
项目名称：C波段GaN基PAMMIC的研制
项目背景：
高功率射频功率放大器（PA）是无线通信系统的重要组成部分，其功率放大效率、频段覆盖范围和输出功率水平等参数，直接影响到系统整体性能和成本。目前，传统的GaNHEMT（高电子迁移率晶体管）技术已经得到广泛应用，但其成本较高，同时存在导电、寿命等问题。因此，研究C波段GaN基PAMMIC（集成电路）的技术，既可以提高功率放大效率，又可以降低系统成本和维护成本，具有非常重要的意义。
项目目标：
本项目的主要目标是设计、制作和测试一个C波段GaN基PAMMIC，具有以下性能指标：
1.频段：4-6GHz
2.最大输出功率：20W
3.功率增益：>30dB
4.输出阻抗：50Ω
5.效率：>40%
6.阻抗匹配和稳定性良好
项目内容：
本项目主要包括以下内容：
1.系统设计
根据目标性能指标，对PAMMIC电路进行设计，包括功率放大器、射频匹配网络、直流偏置和驱动电路等模块。通过仿真软件进行模拟和参数优化。
2.MMIC制作
采用GaN基片进行制作，化学气相沉积（CVD）技术制备缓冲层，再通过分子束外延（MBE）或金属有机化合物气相沉积（MOCVD）技术等进行GaN薄膜晶体生长和器件制作。采用集成电路制作工艺，进行单片或多片芯片的切割、集成，器件氧化保护等工艺过程。
3.参数测试
对制作完成的PAMMIC进行参数测试，包括功率输出、增益、效率、阻抗匹配和稳定性等参数进行测试评估，并对不满足要求的进行优化和重新设计。
项目成果：
1.完成一个符合要求的C波段GaN基PAMMIC设计和制作。
2.完成相关参数测试和性能评估，获取数据和技术指标。
项目计划：
本项目计划用时12个月，具体计划如下：
第1-2个月：进行系统设计和仿真，并确定关键技术参数和工艺条件。
第3-6个月：进行器件制作和工艺优化，不断改进制作技术。
第7-10个月：对器件进行参数测试和性能评估，并进行数据分析和优化改进。
第11-12个月：完成整个项目，整理成果资料和技术报告。
项目组成：
本项目由以下人员组成：
1.项目经理：负责项目整体规划、组织和协调工作。
2.设计人员：负责PAMMIC电路设计和仿真。
3.工艺人员：负责器件制作和工艺优化。
4.测试人员：负责器件参数测试和数据分析，提出优化方案。
项目经费：
本项目的经费预算为100万元人民币，主要包括装备采购费、工资和办公费用等。具体分配情况如下：
1.设备采购费用：50万元人民币
2.工资和办公费用：50万元人民币
项目风险：
本项目的主要风险包括制作工艺的复杂性和设计缺陷的存在。因此，在项目实施过程中，需要加强沟通协调，密切跟踪项目的进展情况，并及时对问题进行解决，以保证项目的顺利实施和圆满完成。