C波段GaN基PA MMIC的研制的中期报告.docx

C波段GaN基PAMMIC的研制的中期报告
本次中期报告是针对C波段（4-8GHz）GaN基功率放大器（PA）MMIC研制项目的进展情况进行汇报。
1.研究背景
GaN材料具有高功率、高频率、高温度稳定性等优势，被广泛应用于射频功率放大器领域。而C波段频段在雷达、通信等领域有着重要的应用，因此研发C波段GaN基PAMMIC具有重要意义。
2.研究内容
本研究采用的GaNHEMT器件为离子束刻蚀工艺制备，器件特性测试表明其具有良好的高频性能和功率饱和特性。研究团队设计了一款C波段单端结构的GaNHEMTPA，采用ClassAB工作方式，使用微带线耦合和负载匹配网络实现了50Ω匹配。经过优化设计和模拟仿真，该PA在4-8GHz频带内的增益高达15dB，具有26dBm的输出功率和50%的直流-射频（DC-RF）转换效率。为了方便制造，研究团队将该PA布局设计成完全的金属化结构，避免了器件的漏电和保护层的损坏。
3.研究进展
经过前期的器件制备、特性测试和前置放大器的设计，目前已完成了C波段GaN基PAMMIC的芯片制作和测试。制作的芯片尺寸为2mm×1.5mm，工艺为金属组合封装。在测试台上，该PA达到了预期的性能指标，增益达到了14dB，输出功率为27dBm，DC-RF转换效率高达40%。但在频率范围内的参数分布和稳定度方面存在一些问题，将需要进一步优化设计和调整工艺。
4.展望
在未来的研究中，研究团队将继续优化设计和改进工艺，以提高C波段GaN基PAMMIC的性能和稳定性。同时，研究团队也会探索更多与应用相关的研究方向，为实际应用提供更好的解决方案。