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GaN薄膜的椭偏光谱研究的中期报告
尊敬的导师和评委们：
我是XX，XX大学材料科学与工程学院的一名硕士研究生，我在导师的指导下开展了关于GaN薄膜的椭偏光谱研究，现在向大家汇报中期进展。
首先，我对GaN薄膜进行了制备和表征。我们采用金属有机化学气相沉积法（MOCVD）制备了GaN薄膜，其表面形貌经过扫描电子显微镜（SEM）观察发现表面较为光滑均匀。利用X射线衍射（XRD）分析了GaN薄膜的结构与晶格常数，结果显示薄膜为高质量晶体，晶格常数与标准值相符。
接着，我对GaN薄膜的椭偏光谱进行了测量和分析。我们使用了连接在紫外-可见-近红外扫描光谱仪上的椭偏仪测量了GaN薄膜在可见光范围内的椭偏光谱。首先，我们观察到了GaN薄膜的普通反射谱和透射谱，发现它们与先前文献中的报道相符。然后，我们利用Stokes参数计算出了GaN薄膜椭偏光谱的旋光性和偏振性角度，并进行了分析。我们发现GaN薄膜的旋光性和偏振性角度会随着入射角度和光强的变化而发生变化，这可能与薄膜中的光学性质和表面形貌有关。
最后，我们还应用了紧束缚模拟软件（TMM）对GaN薄膜椭偏光谱进行了模拟。我们采用了具有两个界面的折射率模型来模拟GaN薄膜的光学特性，经过优化参数后，得到了与实验结果相符的椭偏光谱模拟数据。
在未来的研究中，我们还将进行更加详细系统的研究，完善对GaN薄膜的椭偏光谱的理解。
谢谢大家的聆听。