n型4HSiC欧姆接触的研究的任务书.docx

n型4HSiC欧姆接触的研究的任务书
研究目标：
研究n型4HSiC（碳化硅）欧姆接触的制备方法和性能特征，探究其在功率电子器件中的应用potential。
研究内容：
1.了解碳化硅材料的性质、制备及其在功率电子器件领域的应用；
2.研究n型4HSiC材料性质，并选定符合要求的实验材料；
3.选取合适的制备方法，制备欧姆接触样品；
4.分析、测试样品的电学特性、结构特性及表面特性；
5.测试样品的导电性和电导率；
6.研究不同制备工艺和工作条件对欧姆接触性能的影响；
7.分析和挖掘碳化硅材料的其他潜在应用。
研究方法：
1.文献调研；
2.实验室制备欧姆接触样品；
3.器材测试分析样品性能；
4.数据处理和分析。
研究进度：
第1-2周：查阅文献，了解碳化硅材料的性质、制备及其在功率电子器件领域的应用；
第3-4周：选定n型4HSiC实验材料并进行参数测试；
第5-6周：制备欧姆接触样品，对样品进行测试分析；
第7-8周：分析测试结果，结合文献进行解读；
第9-10周：对欧姆接触材料的未来发展展开讨论，并撰写研究报告。
研究成果：
1.研究报告；
2.发表学术论文；
3.探究n型4HSiC在功率电子器件中的应用前景。