GaN基LED的N极性n型欧姆接触及老化性能研究的任务书.docx
快乐****蜜蜂
在线预览结束,喜欢就下载吧,查找使用更方便
相关资料
GaN基LED的N极性n型欧姆接触及老化性能研究的任务书.docx
GaN基LED的N极性n型欧姆接触及老化性能研究的任务书任务书任务来源:XXX机电公司任务目的:研究GaN基LED的N极性n型欧姆接触及老化性能,以改善其光电性能和使用寿命。项目背景:GaN基LED具有高亮度、高效率、长寿命等优点,已经广泛应用于照明、显示、通信等领域。其中,n型欧姆接触是GaN基LED中极为关键的一个元件,对其电学性能和光电转换效率有着直接的影响。目前,GaN基LED的n型欧姆接触面临着一系列问题,如电流分布不均、热稳定性较差、老化后电学性能变差等。因此,有必要对GaN基LED的n型欧姆
N极性GaN基薄膜材料的外延生长及特性研究的任务书.docx
N极性GaN基薄膜材料的外延生长及特性研究的任务书一、选题背景和目的宽禁带III-V族氮化物材料由于其具有较高的耐高温、高电压和高功率等特性,在半导体器件领域中具有广泛应用前景。其中,N极性GaN基薄膜材料是一种当前研究热点,其具有优异的电学、光学和力学性能,被广泛应用于LED、高电子迁移率晶体管等领域。但是,由于N极性GaN材料的外延生长和制备过程复杂,其制备性能还需要进一步研究和优化。因此,本文选题旨在研究N极性GaN基薄膜材料的外延生长及其特性,具体包括以下方面:从外延材料生长角度,探究N极性GaN
N极性GaN基薄膜材料的外延生长及特性研究的开题报告.docx
N极性GaN基薄膜材料的外延生长及特性研究的开题报告一、题目N极性GaN基薄膜材料的外延生长及特性研究二、研究背景氮化镓(GaN)是III族/V族电子化合物半导体材料,由于其热稳定性、宽禁带宽度、高能隙、高电场饱和速度和高载流子浓度等特性,成为研究和应用的热点。GaN材料的外延生长在构建高品质GaN衬底和深蓝绿色LED芯片方面具有重要的意义。在丰富的外延生长技术中,通过调节材料极性实现性能提升,已成为当前发展趋势之一。本项目将围绕N极性GaN基薄膜材料的外延生长及特性展开研究。三、研究内容及目标本项目将采
N i 基n型SiC 材料的欧姆接触机理及模型研究.pdf
第28卷第1期固体电子学研究与进展Vol.28,No.12008年3月RESEARCH&PROGRESSOFSSEMar.,2008宽禁带半导体XNi基n型SiC材料的欧姆接触机理及模型研究郭辉XX张义门张玉明吕红亮(西安电子科技大学微电子学院,西安,710071)(教育部宽禁带半导体材料重点实验室,西安,710071)2006204228收稿,2006207224收改稿摘要:研究了Ni基n型SiC材料的欧姆接触的形成机理,认为合金化退火过程中形成的C空位(Vc)而导致的高载流子浓度层对欧姆接触的形成起了
GaN基p-i-n紫外探测器性能研究.doc
GaN基p-i-n紫外探测器性能研究科技在发展,探测技术也越来越先进,最先出现的红外和激光探测的科研成果已经不能满足需要。新兴的紫外探测技术越来越受到重视,在军民两个领域均占据重要席位。GaN基p-i-n型紫外探测器具有工作电压低,输入阻抗高,暗电流低等优势,是目前紫外探测技术发展的一个主要方向。本论文针对GaN基p-i-n紫外探测器进行优化并分析其性能。根据p-i-n结构的紫外探测器的工作原理,分析不同的本征i层厚度对器件性能的影响,以及不同的尺寸对器件的影响。通过表征其结晶质量、电流电压特性、电容电压