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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108857866A(43)申请公布日2018.11.23(21)申请号201810039547.0(22)申请日2018.01.16(30)优先权数据1061157092017.05.12TW(71)申请人中国砂轮企业股份有限公司地址中国台湾台北市中正区延平南路10号(72)发明人周瑞麟周至中郑忠義王信君洪煜超(74)专利代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司11006代理人王玉双李岩(51)Int.Cl.B24B37/20(2012.01)B24B37/34(2012.01)H01L21/306(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图19页(54)发明名称化学机械研磨抛光垫修整器及其制造方法(57)摘要本发明提供一种化学机械研磨抛光垫修整器及其制造方法,化学机械研磨抛光垫修整器包含一底部基板:一中间层,设置在该底部基板上,该中间层包括一中空部以及一围绕该中空部的环状部,该环状部具有多个凸块;以及一钻石膜,设置在该中间层上,并对应该中间层的该凸块而形成多个研磨凸起;其中,该研磨凸起的一顶面具有一图案化结构,且该顶面具有一介于2至20之间的中心线平均粗糙度(Ra)。CN108857866ACN108857866A权利要求书1/2页1.一种化学机械研磨抛光垫修整器,其特征在于,包含:一底部基板:一中间层,设置在该底部基板上,该中间层包括一中空部以及一围绕该中空部的环状部,该环状部具有多个凸块;以及一钻石膜,设置在该中间层上,并对应该中间层的该凸块而形成多个研磨凸起;其中,该研磨凸起的一顶面具有一图案化结构而具有一介于2至20之间的中心线平均粗糙度。2.如权利要求1所述的化学机械研磨抛光修整器,其特征在于,该图案化结构包括多个规则或不规则排列的立体图形。3.如权利要求2所述的化学机械研磨抛光修整器,其特征在于,该立体图形选自由三角锥、四角锥、五角锥、六角椎、七角锥、八角椎、三角柱、四角柱、五角柱、六角柱、七角柱、八角柱、圆锥、圆柱、椭圆锥、椭圆柱以及其组合所组成的群组。4.如权利要求2所述的化学机械研磨抛光修整器,其特征在于,该立体图形的一中心点与一相邻的立体图形的中心点之间具有一第一间距,该第一间距大于该立体图形的一宽度,且该第一间距为该立体图形的该宽度的0.5至8.3倍。5.如权利要求4所述的化学机械研磨抛光修整器,其特征在于,该第一间距介于50μm至250μm之间。6.如权利要求2所述的化学机械研磨抛光修整器,其特征在于,该立体图形具有一介于30μm至100μm之间的宽度。7.如权利要求2所述的化学机械研磨抛光修整器,其特征在于,该研磨凸起上每平方毫米所包括的该立体图形数量介于10个至250个之间。8.如权利要求2所述的化学机械研磨抛光修整器,其特征在于,该立体图形在该研磨凸起上排列形成多个立体图形聚集部。9.如权利要求8所述的化学机械研磨抛光修整器,其特征在于,该立体图形聚集部与一相邻的立体图形聚集部之间具有至少一平坦区域,该平坦区域不含有该研磨凸起。10.如权利要求1所述的化学机械研磨抛光修整器,其特征在于,该中间层为一导电碳化硅或一非导电碳化硅。11.如权利要求1所述的化学机械研磨抛光修整器,其特征在于,该研磨凸起相对该中间层的一径向呈一弧度。12.如权利要求1所述的化学机械研磨抛光修整器,其特征在于,该凸块在该环状部排列成多个凸出环,且位在相邻的该凸出环的该凸块彼此相互错位。13.如权利要求1所述的化学机械研磨抛光修整器,其特征在于,该环状部的该凸块是经一能量加工法或一压铸法而形成。14.一种化学机械研磨抛光修整器的制造方法,其特征在于,包括:提供一底部基板;设置一中间层,该中间层包括一中空部以及一围绕该中空部的环状部,在该环状部上形成多个凸块;在该中间层上形成一钻石膜,令该钻石膜顺应该中间层的该凸块而形成多个研磨凸起,该研磨凸起的一顶面形成有一图案化结构且具有一介于2至20之间的中心线平均粗糙2CN108857866A权利要求书2/2页度;以及将该中间层的一侧固定在该底部基板上。15.如权利要求14所述的制造方法,其特征在于,该中间层通过一结合层固定在该底部基板上。16.如权利要求14所述的制造方法,其特征在于,该环状部的该凸块为经一能量加工法或一压铸法而形成。3CN108857866A说明书1/7页化学机械研磨抛光垫修整器及其制造方法技术领域[0001]本发明涉及一种化学机械研磨抛光垫修整器,尤指一种兼具良好切屑能力与移除能力的化学机械研磨抛光垫修整器、以及其制造方法。背景技术[0002]在半导体晶圆的制造过程中,为了让晶圆的表面达到平坦化的目标,常使用化学机械研磨工艺,利用固定在一旋转台的研磨垫接触并对晶圆进行研磨。但研磨所产