CVD生长宝石级厚单晶金刚石切割方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108908762A(43)申请公布日2018.11.30(21)申请号201810623644.4(22)申请日2018.06.15(71)申请人西安碳星半导体科技有限公司地址710000陕西省西安市国家民用航天产业基地东长安街888号LED产业园1号楼1层厂房南半部(72)发明人刘宏明左浩李升(74)专利代理机构北京盛凡智荣知识产权代理有限公司11616代理人刘晓晖(51)Int.Cl.B28D5/00(2006.01)B28D5/04(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称CVD生长宝石级厚单晶金刚石切割方法(57)摘要本发明公开了CVD生长宝石级厚单晶金刚石切割方法，包括以下步骤：通过对金刚石本体的尺寸进行分析，确定切割面的位置，然后通过夹具把金刚石本体进行固定；通过对导向轮和调节轮参数的控制，确定金刚石本体的切割厚度，可以分多次进行切割，每次切割的厚度记为T1、T2、T3、T4，确保对金刚石本体切割的稳定性和精确性，提高金刚石本体的切割质量；对切割厚度进行换算，确定滚珠丝杠的进给量，实现对金刚石本体的倾斜切割，对切割环境进行调节。本发明能够实现一次多片切割，大大地提高了设备的切割效率，可以实现水平方向上的进给，采用斜切的方式，降低切割对样品的损耗，同时切割后的形状类似于钻石的形状，方便二次切割。CN108908762ACN108908762A权利要求书1/1页1.CVD生长宝石级厚单晶金刚石切割方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：通过对金刚石本体的尺寸进行分析，确定切割面的位置，然后通过夹具把金刚石本体进行固定；S2：通过对导向轮和调节轮参数的控制，确定金刚石本体的切割厚度，可以分多次进行切割，每次切割的厚度记为T1、T2、T3、T4，确保对金刚石本体切割的稳定性和精确性，提高金刚石本体的切割质量；S3：对切割厚度进行换算，确定滚珠丝杠的进给量，实现对金刚石本体的倾斜切割，对切割环境进行调节，如冷却液和润滑剂的加入，启动驱动电机，对金刚石本体进行切割；S4：在对金刚石切割的时候，通过检测装置对切割参数进行检测，通过对检测数据的观察，对切割装置的进行调节，尽量的检出误差的存在；S5：待切割完成，对金刚石本体的切割端面进行检查确认，通过检查确认，即完成切割。2.根据权利要求1所述的CVD生长宝石级厚单晶金刚石切割方法，包括固定底座(1)，其特征在于，所述固定底座(1)底部两侧的外壁上均焊接有支撑腿(2)，所述支撑腿(2)底部的外壁上设置有万向轮，且支撑腿(2)与万向轮之间设置有锁止器(3)，所述固定底座(1)顶部两侧的外壁上分别焊接有第一支撑座(4)和第二支撑座(5)，所述第一支撑座(4)和第二支撑座(5)顶部的外壁上分别设置有驱动电机(6)和转动盘(9)，所述驱动电机(6)的输出轴上传动连接有传动皮带(7)，所述传动皮带(7)远离驱动电机(6)的一端内壁上传动连接有传动轮(8)，所述传动轮(8)与转动盘(9)之间形成固定连接。3.根据权利要求2所述的CVD生长宝石级厚单晶金刚石切割方法，其特征在于，所述转动盘(9)的一端外壁上开有转动槽(10)，且转动槽(10)的内壁上转动连接有连接块(11)，所述连接块(11)的一端外壁上焊接有连接杆(12)，所述连接杆(12)远离连接块(11)的一端外壁上焊接有轴套，且轴套的内壁上插接有连接销钉(13)。4.根据权利要求2所述的CVD生长宝石级厚单晶金刚石切割方法，其特征在于，所述固定底座(1)顶部外壁的中间位置焊接有支撑柱(14)，所述支撑柱(14)顶部的外壁上安装有转动轴(15)，所述转动轴(15)的顶部外壁上焊接有工作台(16)，且工作台(16)的一侧外壁与连接销钉(13)之间形成固定连接，工作台(16)顶部的外壁上设置有夹具，且夹具的内部夹持有金刚石本体(17)，所述金刚石本体(17)由CVD单晶(18)和多晶金刚石(19)构成。5.根据权利要求2所述的CVD生长宝石级厚单晶金刚石切割方法，其特征在于，所述固定底座(1)顶部两侧的外壁上均焊接有滑动导轨(28)，所述滑动导轨(28)顶部的外壁上滑动连接有滑动块，且滑动块的顶部外壁上焊接有移动台(27)，所述固定底座(1)内部的中间位置开有安装孔，且安装孔的内壁上插接有滚珠丝杠(25)，所述滚珠丝杠(25)的外壁上螺纹连接有固定螺母(26)，所述固定螺母(26)顶部的外壁上焊接有固定杆，且固定杆顶部的外壁与移动台(27)底部的外壁之间形成固定连接。6.根据权利要求2所述的CVD生长宝石级厚单晶金刚石切割方法，其特征在于，所述金刚石本体(17)的顶部两侧分别设置有牵引轮(20)、调节轮(21)、第一导向轮(22)和第二导向轮