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一种用于提高CVD单晶金刚石生长数量的单晶金刚石制造方法.pdf

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本发明属于单晶金刚石制备工艺技术领域,具体涉及一种用于提高CVD单晶金刚石生长数量的单晶金刚石制造方法。本发明针对现有技术存在的不足,提出了一种用于提高CVD单晶金刚石生长数量的单晶金刚石制造方法,通过控制等离子球与晶种接触,并控制中心晶种与边缘晶种之间的温差,同时添加Ar提高等离子球的浓度,实现晶种单次生长数量的提高,并能够保证较高的良品率。本发明所述用于提高CVD单晶金刚石生长数量的单晶金刚石制造方法,通过对生长过程加以控制,该方法极大的提高了生产效率,解决了CVD单晶片单次生长数量少、效率低的问题,为单晶金刚石的工业化生产提供稳定保障,具有较高的发展前景和经济价值。