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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109390243A(43)申请公布日2019.02.26(21)申请号201810872291.1(22)申请日2018.08.02(30)优先权数据102017117688.32017.08.03DE(71)申请人赛米控电子股份有限公司地址德国纽伦堡(72)发明人H·U·萨格鲍姆(74)专利代理机构北京易捷胜知识产权代理事务所(普通合伙)11613代理人韩国胜(51)Int.Cl.H01L21/58(2006.01)H01L23/488(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图2页(54)发明名称具有粘附层的功率电子组件,以及用于制造所述组件的方法(57)摘要提出了一种方法和由该方法制造的组件,该组件配置为具有基板、具有功率半导体元件和设置在它们之间的粘附层,其中基板具有面向功率半导体元件的第一表面,其中功率半导体元件具有面向基板的第三表面,其中粘附层具有第二表面,该第二表面优选地跨整个区域接触第三表面并且具有第一一致的表面轮廓,该第一一致的表面轮廓具有第一粗糙度,并且其中功率半导体元件的与第三表面相对的第四表面具有第二表面轮廓,该第二表面轮廓具有第二粗糙度,所述第二表面轮廓遵循第一表面轮廓。CN109390243ACN109390243A权利要求书1/2页1.功率电子组件,其具有基板(1)、具有功率半导体元件(3)和设置在它们之间的粘附层(2),其中基板(1)具有面向功率半导体元件(3)的第一表面(120,160),其中功率半导体元件(3)具有面向基板(2)的第三表面(320),其中粘附层(2)具有第二表面(220),该第二表面(220)接触第三表面(320)并且具有第一一致的表面轮廓,该第一一致的表面轮廓具有第一粗糙度,并且其中功率半导体元件(3)的与第三表面(320)相对的第四表面(340)具有第二表面轮廓,该第二表面轮廓具有第二粗糙度,所述第二表面轮廓遵循第一表面轮廓。2.根据权利要求1所述的功率电子组件,其特征在于:第二粗糙度的值在第一粗糙度的值的50%和100%之间。3.根据权利要求1所述的功率电子组件,其特征在于:第二粗糙度的值在第一粗糙度的值的85%和99%之间。4.根据权利要求1所述的功率电子组件,其特征在于:第二粗糙度的值在第一粗糙度的值的95%和99%之间。5.根据前述权利要求任一项所述的功率电子组件,其特征在于:第一粗糙度被配置成以一致或不一致的方式从功率半导体元件(3)的中心朝向外部变化。6.根据前述权利要求1-4中任一项所述的功率电子组件,其特征在于:在功率半导体元件(3)的中心限定的粘附层(2)的第一平均厚度(224)在10μm和200μm之间。7.根据前述权利要求1-4中任一项所述的功率电子组件,其特征在于:在功率半导体元件(3)的中心限定的粘附层(2)的第一平均厚度(224)在20μm和100μm之间。8.根据前述权利要求1-4中任一项所述的功率电子组件,其特征在于:在功率半导体元件(3)的中心限定的粘附层(2)的第一平均厚度(224)在10μm和30μm之间,或在50μm和80μm之间。9.根据前述权利要求1-4中任一项所述的功率电子组件,其特征在于:第一粗糙度具有的值在粘附层(2)的第一平均厚度(224)的5%和50%之间。10.根据前述权利要求1-4中任一项所述的功率电子组件,其特征在于:第一粗糙度具有的值在粘附层(2)的第一平均厚度(224)的10%和30%之间。11.根据前述权利要求1-4中任一项所述的功率电子组件,其特征在于:第一粗糙度具有的值在粘附层(2)的第一平均厚度(224)的15%和20%之间。12.根据前述权利要求1-4中任一项所述的功率电子组件,其特征在于:粘附层(2)构造为粘附剂连接层或焊料层或烧结金属层。13.根据前述权利要求1-4中任一项所述的功率电子组件,其特征在于:在功率半导体元件(3)的周边限定的粘附层(2)的第二平均厚度(226)具有的值最大为第一平均厚度(224)的95%。14.根据前述权利要求1-4中任一项所述的功率电子组件,其特征在于:在功率半导体元件(3)的周边限定的粘附层(2)的第二平均厚度(226)具有的值最大为第一平均厚度(224)的90%。15.根据前述权利要求1-4中任一项所述的功率电子组件,其特征在于:2CN109390243A权利要求书2/2页在功率半导体元件(3)的周边限定的粘附层(2)的第二平均厚度(226)具有的值最大为第一平均厚度(224)的80%。16.根据权利要求1-4中任一项所述的功率电子组件,其特征在于:基板(1)配置成刚性的。17.根据权利要求1-4中任一项所述的功率电子组件,其特征在于:基板(1)配置成具有陶瓷基板载体(10),该