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GaAs基图形衬底上GaAs和InAs纳米结构的控位生长的中期报告
本研究旨在利用分子束外延技术在GaAs基图形衬底上控制生长GaAs和InAs纳米结构。当前为中期阶段，已完成以下工作：
1.制备了GaAs基图形衬底：使用光刻技术制备了图案化的SiO2掩膜，然后通过化学蚀刻去除不需要的部分，最终得到呈现出周期性阵列的GaAs衬底。
2.优化了GaAs外延生长条件：对GaAs基图形衬底进行外延生长，通过调整生长温度、压力和反应时间等参数，得到了均匀、质量较好的GaAs薄膜。
3.验证了控位生长技术：在GaAs薄膜上成功实现了控位生长，通过控制衬底表面的化学反应和外延生长条件，获得了高质量的纳米结构。
4.开始进行InAs纳米结构的控位生长：基于以上成功的经验，开始使用相同的方法在GaAs基图形衬底上进行InAs纳米结构的控位生长。目前正在优化生长条件，并对样品进行表征。
总体来说，当前研究已经取得了一定的进展，为后续更深入的研究奠定了基础。下一步将继续完善控位生长技术，并进一步探索GaAs和InAs纳米结构的物性。