用于化学机械研磨的系统、控制方法以及仪器.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109834577A(43)申请公布日2019.06.04(21)申请号201810540811.9B24B37/20(2012.01)(22)申请日2018.05.30B24B37/27(2012.01)B24B37/34(2012.01)(30)优先权数据62/591,1522017.11.27US15/869,0562018.01.12US(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号(72)发明人胡翔注黄俊凯郑穆韩曾郁钦陈建置陈慈信(74)专利代理机构南京正联知识产权代理有限公司32243代理人顾伯兴(51)Int.Cl.B24B37/005(2012.01)权利要求书2页说明书7页附图5页(54)发明名称用于化学机械研磨的系统、控制方法以及仪器(57)摘要本发明实施例提供一种用于化学机械研磨的系统、控制方法以及仪器。化学机械抛光仪器包括抛光垫、第一传感器、抛光头以及调节器。所述抛光垫包括位于其上的多个凹槽。第一传感器用于测量所述抛光垫的垫轮廓，其中所述抛光垫的所述垫轮廓包括所述多个凹槽的深度。抛光头位于所述抛光垫的上方，且用于根据所述垫轮廓抛光推向所述抛光垫的芯片。调节器位于所述抛光垫的上方，且用于根据所述垫轮廓修复所述抛光垫。根据至少一个抛光条件操作所述抛光头以及所述调节器，且根据所述抛光垫的所述垫轮廓调整所述至少一个抛光条件。CN109834577ACN109834577A权利要求书1/2页1.一种化学机械抛光仪器，其特征在于，包括：抛光垫，其中所述抛光垫包括位于其上的多个凹槽；第一传感器，用于测量所述抛光垫的垫轮廓，其中所述抛光垫的所述垫轮廓包括所述多个凹槽的深度；抛光头，位于所述抛光垫的上方，且用于根据所述垫轮廓抛光推向所述抛光垫的芯片；以及调节器，位于所述抛光垫的上方，且用于根据所述垫轮廓修复所述抛光垫，其中根据至少一个抛光条件操作所述抛光头以及所述调节器，且根据所述抛光垫的所述垫轮廓调整所述至少一个抛光条件。2.一种化学机械抛光仪器的控制方法，所述化学机械抛光仪器具有抛光垫、第一传感器、抛光头以及调节器，其特征在于，所述控制方法包括：由所述第一传感器测量所述抛光垫的垫轮廓，其中所述抛光垫的所述垫轮廓包括所述抛光垫的多个凹槽的深度；根据所述垫轮廓调整至少一个抛光条件；根据所述至少一个抛光条件，通过所述抛光头抛光推向所述抛光垫的芯片；以及根据所述至少一个抛光条件，通过所述调节器修复所述抛光垫。3.根据权利要求2所述的控制方法，其中所述测量所述抛光垫的所述垫轮廓的步骤包括：测量所述抛光垫的所述多个凹槽中的每一个的深度；以及测量所述抛光垫的所述多个凹槽中的每一个的宽度。4.根据权利要求2所述的控制方法，其中所述第一传感器包括光传感器、声波传感器以及图像传感器中的至少一个。5.根据权利要求2所述的控制方法，其中所述第一传感器包括三维激光传感器。6.根据权利要求2所述的控制方法，其中所述至少一个抛光条件包括所述调节器的扫描范围、所述调节器的扫描频率、所述调节器的旋转速度、将所述调节器推向所述抛光垫的向下力以及所述抛光头的区域压力中的至少一个。7.根据权利要求2所述的控制方法，还包括：测量将所述调节器推向所述抛光垫的向下力；以及测量所述调节器的切割速度，其中所述根据所述垫轮廓调整所述至少一个抛光条件的步骤包括：根据所述向下力和所述调节器的所述切割速度中的至少一个以及所述垫轮廓调整所述至少一个抛光条件。8.根据权利要求7所述的控制方法，还包括：测量所述芯片的厚度，其中所述根据所述垫轮廓调整所述至少一个抛光条件的步骤包括：根据所述向下力、所述调节器的所述切割速度以及所述芯片的所述厚度中的至少一个以及所述垫轮廓调整所述至少一个抛光条件。9.根据权利要求2所述的控制方法，还包括：测量所述芯片的厚度，2CN109834577A权利要求书2/2页其中所述根据所述垫轮廓调整所述至少一个抛光条件的步骤包括：根据所述垫轮廓以及所述芯片的所述厚度调整所述至少一个抛光条件。10.一种化学机械抛光系统，包括：化学机械抛光仪器，包括：抛光垫，其中所述研磨垫包括位于其上的多个凹槽；第一传感器，用于测量所述抛光垫的垫轮廓，其中所述抛光垫的所述垫轮廓包括所述多个凹槽的深度；抛光头，位于所述抛光垫的上方，且用于根据所述垫轮廓抛光推向所述抛光垫的芯片；以及调节器，位于所述抛光垫的上方，且用于根据所述垫轮廓修复所述抛光垫；存储器，用于存储程序指令；以及控制器，耦合到所述存储器以及所述化学机械抛光仪器，并用于执行存储在所述存储器中的所述程序指令以：根据所述抛光垫的所述垫轮廓调整至少一个抛光条件；以及根据所述至少一个抛光条件控制所述抛光头以及