太阳能电池硅片弯曲度和翘曲度检测装置及检测方法.pdf
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相关资料
太阳能电池硅片弯曲度和翘曲度检测装置及检测方法.pdf
本发明涉及涉及电池硅片检测领域,具体涉及一种太阳能电池硅片弯曲度和翘曲度检测装置及检测方法,包括呈U型设置的支撑框架,支撑框架的底部左右两侧均前后对称设有刹车万向轮,支撑框架的内腔底部焊接有检测平台,检测平台的左右两侧均延伸至支撑框架的外部,检测平台的顶部中央固定有检测箱,检测箱的顶部与支撑框架的内腔顶部相对设置,且检测箱的左右两侧下部对称贯穿设有检测口;本发明能够有效克服现有技术所存在的传统的太阳能无土电池硅片因弯曲度和翘曲度不符合规定的范围,导致生产效率降低以及生产成本提高的缺陷。
晶圆翘曲度检测装置及方法.pdf
本申请公开了一种晶圆翘曲度检测装置及方法,涉及半导体制造领域。该晶圆翘曲度检测装置至少包括支撑架和量测平板;支撑架由一个底座框架和四个支撑柱构成,四个支撑柱垂直连接在底座框架的四个角上,支撑柱的长度相等;至少一个支撑柱上设置有刻度;量测平板的边缘固定在四个支撑柱上;其中,在未向量测平板施加外力时,量测平板静止;在向量测平板施加外力时,量测平板在外力作用下沿支撑柱移动;解决了传统方法测量得到的超薄晶圆的翘曲度不能代表实际加工过程中翘曲度的问题;达到了优化翘曲度检测方法,提高翘曲度测量的准确度的效果。
降低多晶硅片翘曲度的装置.pdf
本发明公开了一种降低多晶硅片翘曲度的装置,包括反应炉管,其特征在于,所述反应炉管底部设置有弥散管,弥散管两端均设置有进口;弥散管管壁上设置有多个通孔;弥散管通过通孔与反应炉管连通。本发明通过选择合适的装置,在硅片表面生长多晶薄膜后,WARP增加量最小可达到5.35。且硅片的均匀性也能达到使用要求。
降低多晶硅片翘曲度的方法.pdf
本发明公开了一种降低多晶硅片翘曲度的方法,其特征在于,向反应炉管内通入硅烷气体,在反应炉管内温度为600℃~680℃下,在硅片表面生长多晶硅薄膜。本发明通过选择合适的装置和方法,在硅片表面生长多晶薄膜后,WARP增加量最小可达到5.35。且硅片的均匀性也能达到使用要求。
起重机主梁腹板局部翘曲度检测装置.pdf
本发明公开了一种起重机主梁腹板局部翘曲度检测装置。两个磁力吸座分别能吸附在起重机主梁腹板上表面的两侧,两根垂直支杆分别固定在各自磁力吸座上表面,两个交叉杆架分别装在各自垂直支杆上,两根垂直支杆和“U”导轨滑台部件两端侧面分别通过各自交叉杆架连接并可调整高度,支杆上均标有刻度;数字式百分表、数据采集器及无线传输装置固定在“U”导轨滑台部件的移动平台上,手持移动终端分别与移动平台上和驱动电机控制器上的无线传输装置连接。通过手持移动终端,无线遥控操作,自动化程度高;移动平台定位精度高,水平移动速度可调;数据存储