一种减少晶圆厚度的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111482849A(43)申请公布日2020.08.04(21)申请号201910071611.8(22)申请日2019.01.25(71)申请人东莞新科技术研究开发有限公司地址523087广东省东莞市南城区宏远工业区(72)发明人周晓刚(74)专利代理机构广州三环专利商标代理有限公司44202代理人郝传鑫(51)Int.Cl.B24B1/00(2006.01)B24B49/00(2012.01)B24B37/04(2012.01)H01L21/02(2006.01)权利要求书1页说明书4页(54)发明名称一种减少晶圆厚度的方法(57)摘要本发明提供了一种减少晶圆厚度的方法，包括以下步骤：(1)提供待减薄的半导体晶圆；(2)在砂轮转速3000～5000rmp下，对所述晶圆进行粗磨；(3)在砂轮转速3000～5000rmp下，对所述粗磨后的晶圆进行精磨，所述精磨的砂轮转速大于所述粗磨的砂轮转速；(4)对精磨后的晶圆进行湿法蚀刻，湿法蚀刻液为硝酸、氢氟酸、冰乙酸组成的混合酸液，混合酸液刻蚀的温度为-10～-15℃。本发明方法在研磨阶段，先进行粗磨然后进行精磨，并且精磨的砂轮转速大于粗磨的砂轮转速，在精磨后可以减少晶圆的内应力，并且使得精磨的切割边光滑平整，本发明的方法得到的减薄厚度的晶圆的崩裂率低，晶圆光滑，晶圆的应力小。CN111482849ACN111482849A权利要求书1/1页1.一种减少晶圆厚度的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：(1)提供待减薄的半导体晶圆；(2)在砂轮转速3000～5000rmp下，对所述晶圆进行粗磨，所述粗磨的目标深度占晶圆总的减薄厚度的76～84％；(3)在砂轮转速3000～5000rmp下，对所述粗磨后的晶圆进行精磨，所述精磨的砂轮转速大于所述粗磨的砂轮转速，所述精磨的目标深度占晶圆总的减薄厚度的15～20％；(4)对精磨后的晶圆进行湿法蚀刻，湿法蚀刻液为硝酸、氢氟酸、冰乙酸组成的混合酸液，混合酸液刻蚀的温度为-10～-15℃，刻蚀深度占晶圆总的减薄厚度的0.9％～5％。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述精磨的目标深度为150～200nm。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀的深度为10～50nm。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述粗磨的目标深度为800nm。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述精磨的砂轮进给速率为0.8～1μm/s，在进行精磨之前，在精磨的砂轮进给速率为0.8μm/s的条件下打磨所述粗磨造成的崩裂。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述粗磨的砂轮进给速率为3.0μm/s。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述粗磨时的砂轮转速为3000～4500rmp，所述精磨时的砂轮转速为5000rmp。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述粗磨的目标深度为800nm，所述精磨的目标深度为200nm，所述刻蚀的深度为50nm。9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述粗磨的砂轮的粗糙度大于所述精磨的砂轮的粗糙度。10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀液中硝酸、氢氟酸、冰乙酸的体积比为7:2:1，所述湿法刻蚀的时间为10min。2CN111482849A说明书1/4页一种减少晶圆厚度的方法技术领域[0001]本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种减少晶圆厚度的方法。背景技术[0002]在半导体制造领域中，当在器件晶圆的正面制备好器件结构后，需要对器件晶圆的背面进行减薄，由于减薄的晶圆可以有利于封装、有效传输光线等，所以，晶圆减薄工艺成为半导体制造领域例如集成电路领域中的一道重要的工序。[0003]目前，芯片制造普遍是通过光刻工艺来实现，再通过化学试剂进行湿法蚀刻来进行晶圆的减薄。其工艺流程需要显影液、定影液以及大量的酸试剂进行酸腐蚀硅片，来达到一定要求的沟槽深度，化学试剂用量大，对环境造成污染；而且作业环境比较苛刻，且生产周期较长，生产成本加大，效率低下。[0004]申请号为201410265367.6的中国发明专利公开了一种超薄晶圆减薄方法，包括下列步骤：提供待减薄晶圆；对待减薄晶圆边缘圆角进行修整，以防止磨削过程产生崩边现象；对所述晶圆背面进行磨削减薄直至目标厚度。磨削过程采用分段式，即先后进行粗磨和精磨，此方法可充分去除前道磨削引起的损伤。发明内容[0005]本发明的目的在于克服现有技术存在的不足之处而提供一种减少晶圆厚度的方法。[0006]为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：一种减少晶圆厚度的方法，所述方法包括以下步骤：[0007](1)提供待减薄的半导体晶圆；[0008](2)在砂轮转速3000～500